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HY5PS12821CFP-Y4I

产品描述32M X 16 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA84
产品类别存储   
文件大小612KB,共38页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY5PS12821CFP-Y4I概述

32M X 16 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA84

32M × 16 双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器, 0.5 ns, PBGA84

HY5PS12821CFP-Y4I规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量84
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压1.9 V
最小供电/工作电压1.7 V
额定供电电压1.8 V
最小存取时间0.5000 ns
加工封装描述ROHS COMPLIANT, FBGA-84
状态DISCONTINUED
包装形状矩形的
包装尺寸GRID 阵列, THIN PROFILE, FINE PITCH
表面贴装Yes
端子形式BALL
端子间距0.8000 mm
端子位置BOTTOM
包装材料塑料/环氧树脂
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度16
组织32M × 16
存储密度5.37E8 deg
操作模式同步
位数3.36E7 words
位数32M
存取方式四 BANK PAGE BURST
内存IC类型双倍速率同步动态随机存储器 动态随机存取存储器
端口数1

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HY5PS12421C(L)FP-xI
HY5PS12821C(L)FP-xI
HY5PS121621C(L)FP-xI
512Mb DDR2 SDRAM
HY5PS12421C(L)FP-xI
HY5PS12821C(L)FP-xI
HY5PS121621C(L)FP-xI
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev. 0.8 / Oct. 2007
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