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PZTA06T/R

产品描述TRANSISTOR 0.5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小55KB,共2页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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PZTA06T/R概述

TRANSISTOR 0.5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

PZTA06T/R规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
VCEsat-Max0.25 V

PZTA06T/R相似产品对比

PZTA06T/R PZTA06
描述 TRANSISTOR 0.5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power TRANSISTOR 0.5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP General Purpose Power
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
Reach Compliance Code compliant unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 100
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
元件数量 1 1
端子数量 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz
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