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PZTA43T/R

产品描述TRANSISTOR 100 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小82KB,共3页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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PZTA43T/R概述

TRANSISTOR 100 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

PZTA43T/R规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量4 pF
集电极-发射极最大电压200 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值1.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
VCEsat-Max0.5 V

PZTA43T/R相似产品对比

PZTA43T/R PZTA43
描述 TRANSISTOR 100 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR,BJT,NPN,200V V(BR)CEO,500MA I(C),SOT-223
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.5 A
配置 SINGLE Single
最高工作温度 150 °C 140 °C
极性/信道类型 NPN NPN
表面贴装 YES YES
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 50 MHz

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