HN62404P,HN62404P pdf中文资料,HN62404P引脚图,HN62404P电路-Datasheet-电子工程世界

HN62404P: 产品描述MASK ROM, 512KX8, 200ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40; 产品类别存储存储; 文件大小96KB，共4页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HN62404P概述

MASK ROM, 512KX8, 200ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40

HN62404P规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP40,.6
针数	40
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	200 ns
备用内存宽度	16
JESD-30 代码	R-PDIP-T40
JESD-609代码	e0
长度	52.8 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	MASK ROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	40
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP40,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大待机电流	0.00003 A
最大压摆率	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm

HN62404P相似产品对比

	HN62404P	HN62404FP	HN62424FP	HN62424P
描述	MASK ROM, 512KX8, 200ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40	MASK ROM, 512KX8, 200ns, CMOS, PQFP44, PLASTIC, QFP-44	MASK ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, PQFP44, PLASTIC, QFP-44	MASK ROM, 512KX8, 150ns, CMOS, PDIP40, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-40
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	DIP	QFP	QFP	DIP
包装说明	DIP, DIP40,.6	QFP, QFP44,.7SQ,32	QFP, QFP44,.7SQ,32	DIP, DIP40,.6
针数	40	44	44	40
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	200 ns	200 ns	150 ns	150 ns
备用内存宽度	16	16	16	16
JESD-30 代码	R-PDIP-T40	S-PQFP-G44	S-PQFP-G44	R-PDIP-T40
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	52.8 mm	14 mm	14 mm	52.8 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	40	44	44	40
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	QFP	QFP	DIP
封装等效代码	DIP40,.6	QFP44,.7SQ,32	QFP44,.7SQ,32	DIP40,.6
封装形状	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	FLATPACK	FLATPACK	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	2.91 mm	2.9 mm	5.08 mm
最大待机电流	0.00003 A	0.00003 A	0.00003 A	0.00003 A
最大压摆率	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	0.8 mm	0.8 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	QUAD	QUAD	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm	14 mm	14 mm	15.24 mm

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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