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HY5PS2G431MP

产品描述2Gb DDR2 SDRAM(DDP)
文件大小590KB,共35页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY5PS2G431MP概述

2Gb DDR2 SDRAM(DDP)

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HY5PS2G431M[P]
HY5PS2G831M[P]
2Gb DDR2 SDRAM(DDP)
HY5PS2G431M[P]
HY5PS2G831M[P]
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev. 0.5 / Dec 2006
1

HY5PS2G431MP相似产品对比

HY5PS2G431MP HY5PS2G431M HY5PS2G431MP-E3 HY5PS2G431MP-C4 HY5PS2G431MP-Y5 HY5PS2G831MP-C4 HY5PS2G831MP-Y5
描述 2Gb DDR2 SDRAM(DDP) 2Gb DDR2 SDRAM(DDP) 2Gb DDR2 SDRAM(DDP) 2Gb DDR2 SDRAM(DDP) 2Gb DDR2 SDRAM(DDP) 2Gb DDR2 SDRAM(DDP) 2Gb DDR2 SDRAM(DDP)
是否Rohs认证 - - 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 - - SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 - - BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 - - LFBGA, BGA71,9X19,32 LFBGA, BGA71,9X19,32 LFBGA, BGA71,9X19,32 LFBGA, BGA71,9X19,32 LFBGA, BGA71,9X19,32
针数 - - 71 71 71 71 71
Reach Compliance Code - - unknow unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 - - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 - - MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间 - - 0.6 ns 0.5 ns 0.45 ns 0.5 ns 0.45 ns
其他特性 - - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) - - 200 MHz 267 MHz 333 MHz 267 MHz 333 MHz
I/O 类型 - - COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 - - 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
JESD-30 代码 - - R-PBGA-B71 R-PBGA-B71 R-PBGA-B71 R-PBGA-B71 R-PBGA-B71
JESD-609代码 - - e1 e1 e1 e1 e1
长度 - - 20.9 mm 20.9 mm 20.9 mm 20.9 mm 20.9 mm
内存密度 - - 2147483648 bi 2147483648 bi 2147483648 bi 2147483648 bi 2147483648 bi
内存集成电路类型 - - DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 - - 4 4 4 8 8
功能数量 - - 1 1 1 1 1
端口数量 - - 1 1 1 1 1
端子数量 - - 71 71 71 71 71
字数 - - 536870912 words 536870912 words 536870912 words 268435456 words 268435456 words
字数代码 - - 512000000 512000000 512000000 256000000 256000000
工作模式 - - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 - - 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C
组织 - - 512MX4 512MX4 512MX4 256MX8 256MX8
输出特性 - - 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 - - LFBGA LFBGA LFBGA LFBGA LFBGA
封装等效代码 - - BGA71,9X19,32 BGA71,9X19,32 BGA71,9X19,32 BGA71,9X19,32 BGA71,9X19,32
封装形状 - - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - - GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) - - 260 260 260 260 260
电源 - - 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
认证状态 - - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 - - 8192 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 - - 1.35 mm 1.35 mm 1.35 mm 1.35 mm 1.35 mm
自我刷新 - - YES YES YES YES YES
连续突发长度 - - 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
最大待机电流 - - 0.012 A 0.012 A 0.014 A 0.012 A 0.014 A
最大压摆率 - - 0.34 mA 0.39 mA 0.42 mA 0.39 mA 0.42 mA
最大供电电压 (Vsup) - - 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) - - 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) - - 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 - - YES YES YES YES YES
技术 - - CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 - - OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER
端子面层 - - Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 - - BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 - - 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 - - BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 - - 20 20 20 20 20
宽度 - - 12.33 mm 12.33 mm 12.33 mm 12.33 mm 12.33 mm
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