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HY5PS12821AF-Y4

产品描述512Mb DDR2 SDRAM
产品类别存储    存储   
文件大小676KB,共37页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY5PS12821AF-Y4概述

512Mb DDR2 SDRAM

HY5PS12821AF-Y4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数60
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B60
长度14 mm
内存密度536870912 bi
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织64MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度12 mm

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512Mb A-ver. DDR2 SDRAM
512Mb DDR2 SDRAM
HY5PS12421AF[P]
HY5PS12821AF[P]
HY5PS121621AF[P]
Rev. 0.2 / Mar. 2005
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