Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HY5DU573222AFM-28

文档预览

HY5DU573222AFM-28: 产品描述256M(8Mx32) GDDR SDRAM; 产品类别存储存储; 文件大小655KB，共30页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HY5DU573222AFM-28概述

256M(8Mx32) GDDR SDRAM

HY5DU573222AFM-28规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA, BGA144,12X12,32
针数	144
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	357 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	S-PBGA-B144
长度	12 mm
内存密度	268435456 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA144,12X12,32
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	2.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.4 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.06 A
最大压摆率	0.95 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.95 V
最小供电电压 (Vsup)	2.55 V
标称供电电压 (Vsup)	2.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	12 mm

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

HY5DU573222AFM

256M(8Mx32) GDDR SDRAM

HY5DU573222AFM

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any respon-

sibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.5 / Aug. 2003

HY5DU573222AFM

PIN DESCRIPTION

CK, /CK

TYPE

Input

DESCRIPTION

Clock: CK and /CK are differential clock inputs. All address and control input signals are

sampled on the crossing of the positive edge of CK and negative edge of /CK. Output

(read) data is referenced to the crossings of CK and /CK (both directions of crossing).

Clock Enable: CKE HIGH activates, and CKE LOW deactivates internal clock signals, and

device input buffers and output drivers. Taking CKE LOW provides PRECHARGE POWER

DOWN and SELF REFRESH operation (all banks idle), or ACTIVE POWER DOWN (row

ACTIVE in any bank). CKE is synchronous for POWER DOWN entry and exit, and for SELF

REFRESH entry. CKE is asynchronous for SELF REFRESH exit, and for output disable. CKE

must be maintained high throughout READ and WRITE accesses. Input buffers, excluding

CK, /CK and CKE are disabled during POWER DOWN. Input buffers, excluding CKE are

disabled during SELF REFRESH. CKE is an SSTL_2 input, but will detect an LVCMOS LOW

level after Vdd is applied.

Chip Select : Enables or disables all inputs except CK, /CK, CKE, DQS and DM. All com-

mands are masked when CS0 or CS1 is registered high. CS0 or CS1 provides for external

bank selection on systems with multiple banks. CS0 and CS1 are considered part of the

command code. When it is the operationg state of MRS, Power up sequence, EMRS, it

should be enabled in pairs. Except this case, it can be operated, individually.

Bank Address Inputs: BA0 and BA1 define to which bank an ACTIVE, Read, Write or PRE-

CHARGE command is being applied.

Address Inputs: Provide the row address for ACTIVE commands, and the column address

and AUTO PRECHARGE bit for READ/WRITE commands, to select one location out of the

memory array in the respective bank. A8 is sampled during a precharge command to

determine whether the PRECHARGE applies to one bank (A8 LOW) or all banks (A8

HIGH). If only one bank is to be precharged, the bank is selected by BA0, BA1. The

address inputs also provide the op code during a MODE REGISTER SET command. BA0

and BA1 define which mode register is loaded during the MODE REGISTER SET command

(MRS or EMRS).

Command Inputs: /RAS, /CAS and /WE (along with /CS) define the command being

entered.

Input Data Mask: DM(0~3) is an input mask signal for write data. Input data is masked

when DM is sampled HIGH along with that input data during a WRITE access. DM is sam-

pled on both edges of DQS. Although DM pins are input only, the DM loading matches the

DQ and DQS loading. DM0 corresponds to the data on DQ0-Q7; DM1 corresponds to the

data on DQ8-Q15; DM2 corresponds to the data on DQ16-Q23; DM3 corresponds to the

data on DQ24-Q31.

Data Strobe: Output with read data, input with write data. Edge aligned with read data,

centered in write data. Used to capture write data. DQS0 corresponds to the data on

DQ0-Q7; DQS1 corresponds to the data on DQ8-Q15; DQS2 corresponds to the data on

DQ16-Q23; DQS3 corresponds to the data on DQ24-Q31

Data input / output pin : Data Bus

Power supply for internal circuits and input buffers.

Power supply for output buffers for noise immunity.

Reference voltage for inputs for SSTL interface.

No connection.

CKE

Input

/CS0, /CS1

Input

BA0, BA1

Input

A0 ~ A11

Input

/RAS, /CAS, /WE

Input

DM0 ~ DM3

Input

DQS0 ~ DQS3

I/O

DQ0 ~ DQ31

DDQ

SSQ

REF

I/O

Supply

Rev. 0.5 / Aug. 2003

HY5DU573222AFM-28相似产品对比

	HY5DU573222AFM-28	HY5DU573222AFM-25	HY5DU573222AFM-33	HY5DU573222AFM	HY5DU573222AFM-36	HY5DU573222AFM-4
描述	256M(8Mx32) GDDR SDRAM	256M(8Mx32) GDDR SDRAM	256M(8Mx32) GDDR SDRAM	256M(8Mx32) GDDR SDRAM	256M(8Mx32) GDDR SDRAM	256M(8Mx32) GDDR SDRAM
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	-	不符合	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	-	BGA	BGA
包装说明	LFBGA, BGA144,12X12,32	LFBGA, BGA144,12X12,32	LFBGA, BGA144,12X12,32	-	LFBGA, BGA144,12X12,32	LFBGA, BGA144,12X12,32
针数	144	144	144	-	144	144
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	-	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	-	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.6 ns	0.6 ns	0.6 ns	-	0.6 ns	0.6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	357 MHz	400 MHz	300 MHz	-	277 MHz	250 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON
交错的突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	-	2,4,8	2,4,8
JESD-30 代码	S-PBGA-B144	S-PBGA-B144	S-PBGA-B144	-	S-PBGA-B144	S-PBGA-B144
长度	12 mm	12 mm	12 mm	-	12 mm	12 mm
内存密度	268435456 bi	268435456 bi	268435456 bi	-	268435456 bi	268435456 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	-	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	32	32	32	-	32	32
功能数量	1	1	1	-	1	1
端口数量	1	1	1	-	1	1
端子数量	144	144	144	-	144	144
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	-	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	-	8000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C
组织	8MX32	8MX32	8MX32	-	8MX32	8MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LFBGA	LFBGA	-	LFBGA	LFBGA
封装等效代码	BGA144,12X12,32	BGA144,12X12,32	BGA144,12X12,32	-	BGA144,12X12,32	BGA144,12X12,32
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	-	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	-	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	2.8 V	2.8 V	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	-	4096	4096
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	-	1.4 mm	1.4 mm
自我刷新	YES	YES	YES	-	YES	YES
连续突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	-	2,4,8	2,4,8
最大待机电流	0.06 A	0.07 A	0.05 A	-	0.05 A	0.05 A
最大压摆率	0.95 mA	1.1 mA	0.82 mA	-	0.72 mA	0.72 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.95 V	2.95 V	2.625 V	-	2.625 V	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.55 V	2.55 V	2.2 V	-	2.375 V	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.8 V	2.8 V	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	-	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	-	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	-	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	12 mm	12 mm	12 mm	-	12 mm	12 mm

推荐资源

运放稳定性分析: 一个外国人的关于运放稳定性分析的文章，觉得还可以，就发来共享一下...; huchha_0104 模拟电子

不可或缺的射频测试: 最近主要的半导体制造商承认：研发和生产先进的IC芯片非常需要晶圆级的射频(RF)测试。在一定程度上，这公然与2003年ITRS技术工作组对于建模与仿真的建议不符，该建议表明:“对于RF精简模型的参 ......; JasonYoo 无线连接

Wince 6.0 蓝牙问题: 我用的是Wince 6.0的系统，USB蓝牙适配器。蓝牙适配器在XP下不需要安装驱动就可以使用。定制时增加了Bluetooth PAN、Bluetooth Stack with Integrated USB Driver和Bluetooth Statck with Unive ......; seasonings 嵌入式系统

急问：stm32的rtc时钟必须用外部的晶振吗？: 我想只用内部时钟給rtc，快速看了资料好几遍也没找到该怎么操作。。：（香主，給点建议吧。。：D...; yycall stm32/stm8

[转贴]悟空，CRC原来是这么回事！: AAA CRC16 = X16+X15+X5+1 X16 表示第15位需要异或运算X15 表示第14位需要异或运算X5 表示第4位需要异或运算1表示第0位需要异或运算如图，首先将CRC所有位清0。假设我们的数据流为8位， ......; iroirior 单片机

USB免驱摄像头硬件方案: 有人自己做过USB免驱摄像头吗？现在网上买一个很便宜，但是想自己做一个。需要学DSP编程吗？用什么芯片比较好？...; JustinXu6 工业自动化与控制

骗补传闻重挫家电业能效虚标话题再受关注

　　日前，有媒体报道家电厂商涉嫌在新一轮家电节能补贴中存在骗补行为，并由此引出“骗补导致本周一家电股大跌”的传闻。“涉嫌”厂商回应不存在“骗补”行为，业内人士也分析股价大跌与家电行业半年业绩疲软有关，而非“骗补”影响。不过，关于新一轮家电节能补贴政策中如何避免“骗补”的问题仍受到了业界的广泛关注。　　 “骗补”疑云再惹风波　　日前，有媒体关于“个别家电企业涉嫌骗取国家节能补贴”的报道...[详细]
CATV的智能校园广播/考试系统的设计

传统的广播系统，一般需要由人工定时操作，且只能实现一路广播，功能少，传统的打铃设备，音源单一，声音刺耳，随着学校教学改革的不断深入，这些电教设备已不能满足学校的要求和发展，根据学校的需求，笔者利用电脑多媒体技术和单片机技术，结合CATV系统设计出了智能校园广播/考试系统，该系统不仅可以实现多路调频广播，而且可以寻址广播，控制校园任一广播终端的功能操作，如广播开关、声音调节和频道切换等，同时广播终...[详细]
模拟串口的C语言代码

本程序是模拟串口硬件机制写的，使用时可设一定时中断，时间间隔为1/4波特率，每中断一次调用一次接收函数，每中断4次调用一次发送函数,不过.对单片机来说时钟并须要快.要知道9600的波特率的每个BIT的时间间隔是104us.而单片机中断一次压栈出栈一次的时间是20us左右(标准的51核12M晶体)这样处理时间就要考虑清楚了.呵呵.以下程序是放在定时器中断程序函数内的 //接收部分 sbit ...[详细]
自制健康节能的饮水机

一、电路的组成整个电路包括两部分： 1．节电控制电路如下图所示。包括延时电路、驱动电路。 (1)延时电路。包括集成电路U1(CD4541)。电阻R2、R3、R4，电容C4，按钮S0、S1。 (2)驱动电路：由R1、晶体管Q1、继电器J1、二极管D1组成。 2．凉、热水分开及水位指示电路如下图所示。包括基准电压电路、水位比较电路、驱动电路。 (1)基准电压电路。由电阻R6、R8、R11...[详细]
基于FPGA+嵌入式处理器的违章车辆视频检测系统

0 引言随着我国经济的发展，机动车辆不断地增长，现有道路等硬件设施的增长已经满足不了日益膨胀的交通问题，智能交通系统（Intelligent Transportation System,ITS）越来越受重视。所谓智能交通系统（ITS）就是将先进的信息技术、数据通信传输技术、电子传感技术以及计算机处理技术等有效地集成运用于整个地面交通管理系统而建立的一种在大范围内、全方位发挥作用的、...[详细]
电动汽车“无线”充电桩或于2015年亮相

鉴于电动汽车充电必须通过插入电线完成的现状，部分企业已经开始研发电动汽车“无线”充电设施，为消费者消除“有线”充电带来的不便。这种新型“无线”充电桩有望于2015年面世。思迈汽车信息咨询公司(IHS Automotive) 分析师Phil Gott表示，根据部分沃蓝达和日产聆风车主的回馈信息，很多人抱怨电动汽车充电电线难于清洗，且容易缠绕在一起。发展无线充电桩能让消费者省去这些烦恼。 ...[详细]
基于超声探测的停车场车位引导系统的研究

1、引言随着停车需求的增长，停车场的规模也越来越趋于大型化。国内对智能停车场也进行了大量的研究，但目前我国的停车场管理系统大多还存在智能化、集成度低的缺点，忽视了停车过程的自动化，特别是车位的引导。如何检测车位和引导司机方便的泊车也是停车管理的重要组成部分，该方案通过对最短路径有效算法和场内车位引导。及现场总线通讯等方面进行阐述，对特大型智能自动化停车场的设计具有一定的参考价值。 2、...[详细]
FlexRay?在汽车网络中的应用解决方案

您经常要给汽车刹车加制动液吗?需要抽出制动液，以确保制动液管中没有气体，虽然这些工作可能并不由车主亲自动手完成，但这个事实却证明，即使在更加现代化的电动液压制动系统中，我们仍然要忍受所谓的"湿"系统带来的困扰。随着"线控"技术的出现，我们将能使用重量轻、效率高、更简单的电子机械系统，如线控刹车技术(Brake-By-Wire)，取代笨重的液压系统和污秽的有毒液体，并彻底摆脱它们。但是，...[详细]
如何让模拟工程师实现数字电源转换

模拟工程师以前在设计需要具有多路输出、动态负载共享、热插拔或广泛故障处理能力的电源时，往往需要与复杂性抗争。利用模拟电路来实现系统控制功能并非总是经济有效或灵活的。采用模拟技术设计电源需要使用“过大的”元件来解决元件变化和元件漂移的问题。即使是在克服了这些设计难点之后，这些电源在生产线末端还需要进行人工调整。　　那么，模拟工程师应该选择什么来设计电源呢？工程学对这个问题的回...[详细]
Blackfin汇聚式处理器如何以可扩展性取胜

汇聚式处理器满足扩展性需求当前嵌入式系统设计中，基于MCU、DSP、FPGA及ASIC的解决方案占据了超过90%的市场份额，这些方案各自在成本、功耗、集成度以及开发环境支持上具有不同的特点，而单就设计的可扩展性而言，DSP通常能提供比竞争性解决方案更强大的处理能力，为功能扩展提供了足够的性能裕量，而且基于软件的实现方式具有无可比拟的灵活性和扩展性优势。近年来，随着主流的DSP提供商在...[详细]
iSuppli拆解显示Nexus 7生产成本约152美元

北京时间7月12日消息，IHS iSuppli拆解报告显示，8GB版Nexus 7生产成本约152美元。它的内部配置与Kindle Fire极为相似。18GB版本Nexus 7生产成本约159.25美元。市场上两款产品售价分别为199美元和249美元，最大区别在于内存芯片。　　iSuppli分析师认为，8GB版Nexus 7基本无利可图，16GB版本利润相当低。报告称：“与苹果想的一样，...[详细]
苹果App Store商店下架《保卫钓鱼岛》游戏

《保卫钓鱼岛》游戏截图《保卫钓鱼岛》游戏截图　　北京时间7月11日下午消息，苹果应用商店App Store已将深圳中青宝开发的手机游戏《保卫钓鱼岛》下架，但苹果并未对此作出解释。　　《保卫钓鱼岛》游戏一直在中文版苹果App Store商店销售，但周三却已消失。据《中国日报》报道，中青宝表示苹果方面并未对《保卫钓鱼岛》下架作出解释。报道称，该公司已向玩家表示道歉，目前正在与苹...[详细]
深度阅读：中国“苹果教”的两极

拂晓刚至，大大小小的鸡蛋掷到苹果专卖店的落地窗上。这是北京三里屯的太古广场，全落地玻璃装饰的苹果旗舰店异常显眼。1月的北京非常冷，数百人拥挤在店外，在寒冬等待了整整一个晚上。然而，他们并不是新发布的iPhone 4S手机的狂热买家，也不是来示威抗议苹果代工厂的恶劣用工环境的。他们只是为了15美元报酬而来的民工。他们将买到的iPhone手机转手交给黄牛，黄牛随后便能以高价转卖这些手机以获利润。...[详细]
基于PWM的路灯节能装置的设计

　　1 引言　　随着城市现代化建设步伐的加快，社会对城市道路照明及城市亮化工程的要求也更高，国家明确要求要把节约资源作为国家的基本的国策，节能已成为社会发展的主流。　　本文设计了基于ATmega128处理器为核心搭建硬件平台，设计了PWM斩波调压电路，实现了对路灯电压的合理调节。电压自动调节电路主要以PWM斩波技术为核心，设计实际电路，调试获得成功，达到了降压的目的。针对在该种降压电路中...[详细]
白光LED光衰原因之荧光粉性能的衰退

白光LED光衰原因之荧光粉性能的衰退到目前，白光 LED、尤其是小功率白光 LED 的发光性能快速衰退已越来越为人们所认识。其实，盲目地夸大宣传，只能将 LED 行业引向歧途，不正视白光 LED 存在的问题，只能延缓白光 LED 应用的发展。只有正视问题、研究问题、尽早解决问题，白光 LED 才能健康、快速发展。白光 LED 当前面临的一个主要问题就寿命问题。由于白光 LED 的价格尚很...[详细]

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多