Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HY5DU561622CTP-5

文档预览

HY5DU561622CTP-5: 产品描述256M(16Mx16) gDDR SDRAM; 产品类别存储存储; 文件大小191KB，共30页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

HY5DU561622CTP-5概述

256M(16Mx16) gDDR SDRAM

HY5DU561622CTP-5规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSSOP, TSSOP66,.46
针数	66
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66
JESD-609代码	e6
长度	22.225 mm
内存密度	268435456 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	66
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.194 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.02 A
最大压摆率	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	10.16 mm

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

HY5DU561622CTP

256M(16Mx16) gDDR SDRAM

HY5DU561622CTP

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.5 / Feb. 2006

1HY5DU561622CTP

PIN DESCRIPTION

CK, /CK

TYPE

Input

DESCRIPTION

Clock: CK and /CK are differential clock inputs. All address and control input signals are

sampled on the crossing of the positive edge of CK and negative edge of /CK. Output

(read) data is referenced to the crossings of CK and /CK (both directions of crossing).

Clock Enable: CKE HIGH activates, and CKE LOW deactivates internal clock signals, and

device input buffers and output drivers. Taking CKE LOW provides PRECHARGE POWER

DOWN and SELF REFRESH operation (all banks idle), or ACTIVE POWER DOWN (row

ACTIVE in any bank). CKE is synchronous for POWER DOWN entry and exit, and for SELF

REFRESH entry. CKE is asynchronous for SELF REFRESH exit, and for output disable. CKE

must be maintained high throughout READ and WRITE accesses. Input buffers, excluding

CK, /CK and CKE are disabled during POWER DOWN. Input buffers, excluding CKE are

disabled during SELF REFRESH. CKE is an SSTL_2 input, but will detect an LVCMOS LOW

level after Vdd is applied.

Chip Select : Enables or disables all inputs except CK, /CK, CKE, DQS and DM. All com-

mands are masked when CS is registered high. CS provides for external bank selection on

systems with multiple banks. CS is considered part of the command code.

Bank Address Inputs: BA0 and BA1 define to which bank an ACTIVE, Read, Write or PRE-

CHARGE command is being applied.

Address Inputs: Provide the row address for ACTIVE commands, and the column address

and AUTO PRECHARGE bit for READ/WRITE commands, to select one location out of the

memory array in the respective bank. A10 is sampled during a precharge command to

determine whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW) or all banks (A10

HIGH). If only one bank is to be precharged, the bank is selected by BA0, BA1. The

address inputs also provide the op code during a MODE REGISTER SET command. BA0

and BA1 define which mode register is loaded during the MODE REGISTER SET command

(MRS or EMRS).

Command Inputs: /RAS, /CAS and /WE (along with /CS) define the command being

entered.

Input Data Mask: DM(LDM,UDM) is an input mask signal for write data. Input data is

masked when DM is sampled HIGH along with that input data during a WRITE access.

DM is sampled on both edges of DQS. Although DM pins are input only, the DM loading

matches the DQ and DQS loading. LDM corresponds to the data on DQ0-Q7; UDM corre-

sponds to the data on DQ8-Q15.

Data Strobe: Output with read data, input with write data. Edge aligned with read data,

centered in write data. Used to capture write data. LDQS corresponds to the data on

DQ0-Q7; UDQS corresponds to the data on DQ8-Q15.

Data input / output pin : Data Bus

Power supply for internal circuits and input buffers.

Power supply for output buffers for noise immunity.

Reference voltage for inputs for SSTL interface.

No connection.

CKE

Input

/CS

Input

BA0, BA1

Input

A0 ~ A12

Input

/RAS, /CAS, /WE

Input

LDM, UDM

Input

LDQS, UDQS

DQ0 ~ DQ15

DDQ

SSQ

REF

I/O

Supply

Rev. 0.5 / Feb. 2006

HY5DU561622CTP-5相似产品对比

	HY5DU561622CTP-5	HY5DU561622CTP-28	HY5DU561622CTP-33	HY5DU561622CTP-36	HY5DU561622CTP-4	HY5DU561622CTP	HY5DU561622CTP-6
描述	256M(16Mx16) gDDR SDRAM	256M(16Mx16) gDDR SDRAM	256M(16Mx16) gDDR SDRAM	256M(16Mx16) gDDR SDRAM	256M(16Mx16) gDDR SDRAM	256M(16Mx16) gDDR SDRAM	256M(16Mx16) gDDR SDRAM
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	-	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	-	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	-	TSOP2
包装说明	TSSOP, TSSOP66,.46	TSSOP, TSSOP66,.46	TSSOP, TSSOP66,.46	TSSOP, TSSOP66,.46	TSSOP, TSSOP66,.46	-	TSSOP, TSSOP66,.46
针数	66	66	66	66	66	-	66
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknow	unknow	unknow	-	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	-	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns	0.7 ns	0.7 ns	0.7 ns	0.7 ns	-	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	200 MHz	357 MHz	303 MHz	277 MHz	250 MHz	-	166 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON
交错的突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	-	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	-	R-PDSO-G66
JESD-609代码	e6	e6	e6	e6	e6	-	e6
长度	22.225 mm	22.225 mm	22.225 mm	22.225 mm	22.225 mm	-	22.225 mm
内存密度	268435456 bi	268435456 bit	268435456 bi	268435456 bi	268435456 bi	-	268435456 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	-	DDR DRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	-	16
功能数量	1	1	1	1	1	-	1
端口数量	1	1	1	1	1	-	1
端子数量	66	66	66	66	66	-	66
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	-	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	-	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	-	70 °C
组织	16MX16	16MX16	16MX16	16MX16	16MX16	-	16MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP	TSSOP	TSSOP	TSSOP	TSSOP	-	TSSOP
封装等效代码	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46	-	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	-	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	-	260
电源	2.5 V	2.8 V	2.6 V	2.6 V	2.5 V	-	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	-	4096
座面最大高度	1.194 mm	1.194 mm	1.194 mm	1.194 mm	1.194 mm	-	1.194 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	-	YES
连续突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	-	2,4,8
最大待机电流	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A	-	0.02 A
最大压摆率	0.2 mA	0.26 mA	0.26 mA	0.24 mA	0.22 mA	-	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V	2.9 V	2.9 V	2.9 V	2.625 V	-	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V	2.7 V	2.5 V	2.5 V	2.375 V	-	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.8 V	2.6 V	2.6 V	2.5 V	-	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	-	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	-	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	-	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	-	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	-	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20	-	20
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	-	10.16 mm

推荐资源

LPC54102 FFT 应用求婚神器: 本帖最后由 littleshrimp 于 2015-4-14 14:15 编辑这是一个求婚必备的神器？想象一下，你和你相处多年的女朋友两人走进一间黑屋，屋里没有一点声音，当你牵着女朋友的手走到黑屋的中央，音 ......; littleshrimp NXP MCU

TL431的恒流源电路: 设计了一个基于TL431的恒流源电路，如下图所示。图中选用的是PMOS BSS84P，其导通电压是-1~-1.2V。但是实际调试发现431工作不正常。测得PMOS g级对地电压为1.7V，PT100上压降是2.2V，R5压降是 ......; dlcnight 电源技术

Foundations of Analog and Digital Electronic Circuits （模拟和数字电子电路基础）: 不是有没有人上传过这本书从大学一年级学到现在出了社会工作了,作用还是很大和在它身上学到应用上的很多我上传的是英文版 144905 ...; PENGSHIFANG 模拟电子

请教高手一个问题: 在一次拷贝PCB资料的时候，拷了一个PCB文件后，我直接打开，但是提示有license错误，最终的结果是此PCB不能保存，可以进行修改等基本操作，就是不能保存！此后我电脑上的所有PCB文件都有这个问 ......; yqstx PCB设计

【MM32 eMiniBoard测评】Part1：开箱: 1.介绍这是我在EEWorld的第一篇测评帖子，也是灵动MM32的第一款测评的开发板，哈哈，都是第一次哈，所以呢，也会说的多一点，之前接触过不少的国产芯片，也做过一些测评，国产芯片现在其实 ......; PowerWorld 国产芯片交流

请教ARM7 lpc2378和uda1341实现录音的问题: 买的是周立功的开发板，用的codec是uda1341ts，可以正常放音，但是不能录音，我是用mic通过uda1341的通道1输入，但是在uda1341的输出端18脚，一直检测不到信号，不知道问题出在哪了。下面是 ......; daviu1234 ARM技术

RFID有效追踪药品和医疗管理

　　药品是特殊商品，如果给病人用错药，用假药、劣药或者过期药品，将给人民的身体健康及生命带来威胁。　　近些年来，药品安全问题频频发生，2006年我国就发生了几起药品叫停事件:卫生部紧急叫停欣弗、国家食品药品监督管理局（SFDA）叫停鱼腥草注射剂等，就是因为问题、假冒伪劣药品给人们的生命安全造成了伤害。　　根据世界卫生组织的报道，全球假药比例已超过10%，全球假药年销售额已超过320亿美元...[详细]
CSR公开展示手机蓝牙低功耗技术

　　无线技术提供商CSR公司日前在全球公开展示了手机采用CSR BlueCore7芯片的蓝牙低功耗技术。此次在旧金山召开的蓝牙技术联盟医疗工作组会议上展示了一套体重计和一个温度传感器，它们通过蓝牙低功耗技术与手机相联接。这是迈向建立标准化低功耗无线技术方向的重要一步，并强化了CSR推动蓝牙低功耗产品开发的承诺，特别是针对医疗领域的各种应用。蓝牙技术联盟有望于2009年一季度最终采用蓝牙低功耗技术...[详细]
研诺的新型高集成电源管理芯片AAT2603

2008 年 7 月 9 日，研诺逻辑科技有限公司宣布推出编号为 AAT2603 的芯片，这是一款新型高度集成的电源管理芯片，专门针对移动全球定位设备 (GPS) 、便携式多媒体播放器（ PMP ）以及其它以单节锂离子电池供电的手持移动系统而设计。这款芯片在小型 4x4-mm TDFN 封装内集成了 6 种电源功能，包括两个降压转换器和 4 个 LDO ，每个都带有独立控制管脚，因此可提供设...[详细]
基于SiC集成技术的生物电信号采集方案

　　人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了，但如何将他们的体积缩小到病人可接受的程度还是一个不小的挑战。本文介绍采用IMEC的SiC技术，它的开发重点是进一步缩小集成后的EEG系统体积以及将低功耗处理技术、无线通信技术和能量提取技术整合起来，在...[详细]
消除多路复用DAC的输出错误

　　在某些应用(如数据记录器)中，具有多路复用模拟输出是非常理想的。当一次仅有单个输出有效时，电压输出DAC" 数模转换器 (DAC)和模拟多路复用器可以实现这个需求。你可以使用此类信号来激活桥路。还可能需要双极输出，但是你可能不愿意放弃哪怕是一比特的分辨率。　　要解决第一个问题，设计者通常实现多路复用器(图1a)。但是这种方法有一个严重缺点：输出准确度可能会由于多路复用器的内部阻抗而大大下降...[详细]
低功耗便携式医学数据记录仪的设计

　　许多医学应用都需要不用外接电源线和数据线的便携式自供电设备，最明显的例子是病人随身携带用来测量心率、体温和其它健康指标的便携式数据记录仪。当然，还有很多复杂应用即使通过外部电源供电，也会需要一个小型的电池设备实现安全冗余和设备监控，如医院病房、病人居室、环境受控的实验室或贮藏设备环境参数（包括温度和湿度）都需要持续监控；另外便携设备的安装使用比需要外接电源和网线的设备更方便更灵活。在...[详细]
机顶盒该淘汰专家建议停售转向一体机

买了高清电视机之后，还需要装个数字电视机顶盒才能收看到高清电视节目的时代将被淘汰。在昨天举行的“上海高清数字电视应用发展论坛”上，上海市信息家电行业协会秘书长王长崧表示，数字电视机顶盒已不能适应数字电视发展需要，建议限期禁止模拟电视机销售，积极发展数字电视一体机。 “让老百姓花上万元买个平板电视，却看不到数字电视，除非配个机顶盒。不仅不合理，还会造成资源浪费。”在昨天的会议上，王长崧介绍说，机...[详细]
能够实时转换任意格式的视频是未来趋势

　　当今视频娱乐市场以内容为王，能够实时转换任意格式的视频内容是未来市场发展的一个核心趋势。即使不被众人所了解，但是视频转码技术必将得到广泛的使用。视频转码是指将某一视频格式转换为另一视频格式的过程，通常都是先将视频暂时解码，然后重新编码成需要的格式和数据编码速度。　　IDC分析指出了三种主要的转码需求：不同视频格式间的转换，例如从MPEG-2或者MPEG-4转到H.264；内容传输，改变比特率...[详细]
Modbus RTU通信协议在MCF51QE128上的实现(图)

　　工业控制已从单机控制走向集中监控、集散控制，如今已进入网络集约制造时代。工业控制器连网也为网络管理提供了方便。Modbus就是工业控制器的网络协议中的一种。Modbus协议是应用于电子控制器上的一种通信规约。通过此协议，控制器相互之间、控制器经由网络(例如以太网)和其他设备之间可以通信。它已经成为主流的工业标准之一。不同厂商生产的控制设备通过Modbus协议可以连成工业网络，进行集中监控。 ...[详细]
Intel：嵌入式联网设备市场是下一个“金矿”

　　随着嵌入式技术和通信技术的发展，二者之间已呈现出更多的融合趋势：一方面嵌入式设备被更多地连接到互联网上，成为互联网接入终端；另一方面这些设备之间也越来越多地实现了互联互通。自今年英特尔推出面向嵌入式领域的凌动处理器以来，英特尔的嵌入式市场战略逐渐清晰，而其与终端设备芯片厂商ARM之间的竞争也成为业界关注的焦点。英特尔DougDavis 　　英特尔在北京举行嵌入式战略沟通会，英特尔...[详细]
东盟应备战医疗新挑战

　　飞利浦医疗执行副总裁兼首席执行官Steve Rusckowski在越南河内举办的“第二届东盟地区医疗业研讨会”上呼吁东盟地区医疗领域更广泛的合作和投资，以应对该地区不断增长的医疗需求。在演讲中，Rusckowski先生指出，某些全球性问题如人口老龄化，慢性疾病发病率增高等以及一些区域性问题如基础设施以及训练有素的医护人员的缺乏等正在剥夺东盟地区人群享有高质量且价格合理的医疗服务的权利。 ...[详细]
有关独立医学实验室市场的现状与分析

　　独立医学实验室的产生背景　　上世纪五六十年代，发达国家医学的发展进步给国民健康带来了福音，但也给社会带来了沉重的经济负担。美国尤为突出，为减轻国民负担，美国政府推出“合理利用资源减少医疗开支”的策略及一系列医疗体制改革进行干预，同时引入市场机制，加剧行业竞争，最终导致医学检验行业中以集约化为核心竞争力的医学独立实验室的产生。　　当时美国出现了一些小型的医学独立实验室，为医院提供医学检验...[详细]
AMD开发山猫芯片挑战英特尔凌动

　　据国外媒体报道，AMD公司正在开发一款面向移动设备和上网本的低能耗处理器——山猫（Bobcat），从而粉碎了数个月以来有关该公司已经放弃这一项目的传言。　　山猫的竞争对手是英特尔的凌动（Atom），而与AMD的低能耗Geode芯片相辅相成。Geode芯片主要用于薄客户端和嵌入式设备中。　　AMD没有就山猫的发布时间发表评论。　　AMD去年首次披露了开发山猫的计划。当时AMD高管称...[详细]
安捷伦推出全新逻辑分析仪16900系列

安捷伦科技隆重推出了全新的模块化主机、四倍于当前业内存储器深度的全新逻辑分析模块，以及适用于PCI Express和Altera FPGA开发者的新应用附件，从而进一部丰富了安捷伦的逻辑分析仪产品线。计算机、通信、半导体、宇航和国防、汽车和无线行业的电子设计师不断进行越来越复杂的硬件设计，设计师要用逻辑分析仪验证和调试他们的设计。伴随着高速设计的新测试挑战，需要具备测试过程中不...[详细]
内镜超声——创伤最低的检测肺癌手段

　　内镜超声是一种创伤最低的检测肺癌的手段——通过将一个顶部带有摄像头的探头插入食道即可准确、安全的判定肺部肿块的良恶性情况。美国杜克大学医学中心的胃肠病学专家在评估了18例临床内镜超声检查结果后得出结论：内镜超声应被作为评估疑似恶性肿块的常规检查手段。研究者们在报告中称，如果超声内镜检查能在临床上得以广泛使用，则近三分之一的疑似肺癌的病人将无须再进行其它的创伤更大的检查即可判定肿瘤的...[详细]

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多