HY5DU281622ETP-36,HY5DU281622ETP-36 pdf中文资料,HY5DU281622ETP-36引脚图,HY5DU281622ETP-36电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HY5DU281622ETP-36

HY5DU281622ETP-36: 产品描述8M X 16 DDR DRAM, 0.6 ns, PDSO66; 产品类别存储存储; 文件大小244KB，共34页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

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HY5DU281622ETP-36概述

8M X 16 DDR DRAM, 0.6 ns, PDSO66

8M × 16 双倍速率同步动态随机存储器动态随机存取存储器, 0.6 ns, PDSO66

HY5DU281622ETP-36规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSSOP66,.46
针数	66
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	275 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66
JESD-609代码	e6
长度	22.225 mm
内存密度	134217728 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	66
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.194 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.04 A
最大压摆率	0.43 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	10.16 mm

HY5DU281622ETP-36相似产品对比

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描述	8M X 16 DDR DRAM, 0.6 ns, PDSO66	8M X 16 DDR DRAM, 0.6 ns, PDSO66	8M X 16 DDR DRAM, 0.6 ns, PDSO66	8M X 16 DDR DRAM, 0.6 ns, PDSO66	8M X 16 DDR DRAM, 0.6 ns, PDSO66	8M X 16 DDR DRAM, 0.6 ns, PDSO66
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSSOP66,.46	TSOP2, TSSOP66,.46	TSOP2, TSSOP66,.46	TSOP2, TSSOP66,.46	TSOP2, TSSOP66,.46	TSOP2, TSSOP66,.46
针数	66	66	66	66	66	66
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.6 ns	0.6 ns	0.6 ns	0.6 ns	0.6 ns	0.6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	275 MHz	333 MHz	200 MHz	375 MHz	300 MHz	250 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66
JESD-609代码	e6	e6	e6	e6	e6	e6
长度	22.225 mm	22.225 mm	22.225 mm	22.225 mm	22.225 mm	22.225 mm
内存密度	134217728 bi	134217728 bi	134217728 bi	134217728 bi	134217728 bi	134217728 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	66	66	66	66	66	66
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260
电源	2.5 V	2.8 V	2.5 V	2.8 V	2.8 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	1.194 mm	1.194 mm	1.194 mm	1.194 mm	1.194 mm	1.194 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8
最大待机电流	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A	0.04 A
最大压摆率	0.43 mA	0.47 mA	0.39 mA	0.51 mA	0.45 mA	0.41 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V	2.9 V	2.625 V	2.9 V	2.9 V	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V	2.7 V	2.375 V	2.7 V	2.7 V	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.8 V	2.5 V	2.8 V	2.8 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20	20
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

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