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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HY5DU121622DFP-D43I
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HY5DU121622DFP-D43I

产品描述512Mb DDR SDRAM
产品类别存储    存储   
文件大小461KB，共29页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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HY5DU121622DFP-D43I概述

512Mb DDR SDRAM

HY5DU121622DFP-D43I规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA60,9X12,40/32
针数60
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
JESD-609代码e1
长度12 mm
内存密度536870912 bi
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA60,9X12,40/32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）260
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.01 A
最大压摆率0.36 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度10 mm

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512Mb DDR SDRAM
HY5DU12822DF(P)-xI
HY5DU121622DF(P)-xI
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev 1.0 / June 2007
1

HY5DU121622DFP-D43I相似产品对比

HY5DU121622DFP-D43I HY5DU121622DFP-JI HY5DU121622DFP-KI HY5DU12822DFP-D43I HY5DU12822DFP-HI HY5DU12822DFP-JI HY5DU12822DFP-KI
描述 512Mb DDR SDRAM 512Mb DDR SDRAM 512Mb DDR SDRAM 512Mb DDR SDRAM 512Mb DDR SDRAM 512Mb DDR SDRAM 512Mb DDR SDRAM
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 TFBGA, BGA60,9X12,40/32 TFBGA, BGA60,9X12,40/32 TFBGA, BGA60,9X12,40/32 TFBGA, BGA60,9X12,40/32 TFBGA, BGA60,9X12,40/32 TFBGA, BGA60,9X12,40/32 TFBGA, BGA60,9X12,40/32
针数 60 60 60 60 60 60 60
Reach Compliance Code unknow unknow unknow compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.7 ns 0.7 ns 0.75 ns 0.7 ns 0.75 ns 0.7 ns 0.75 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 200 MHz 166 MHz 133 MHz 200 MHz 133 MHz 166 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60
JESD-609代码 e1 e1 e1 e1 e1 e1 e1
长度 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm 12 mm
内存密度 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bi 536870912 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 16 16 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 60 60 60 60 60 60 60
字数 33554432 words 33554432 words 33554432 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words
字数代码 32000000 32000000 32000000 64000000 64000000 64000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 32MX16 32MX16 32MX16 64MX8 64MX8 64MX8 64MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA
封装等效代码 BGA60,9X12,40/32 BGA60,9X12,40/32 BGA60,9X12,40/32 BGA60,9X12,40/32 BGA60,9X12,40/32 BGA60,9X12,40/32 BGA60,9X12,40/32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260 260 260 260
电源 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES
连续突发长度 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8 2,4,8
最大待机电流 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A
最大压摆率 0.36 mA 0.35 mA 0.34 mA 0.36 mA 0.34 mA 0.35 mA 0.34 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 20 20 20 20 20
宽度 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm
是否无铅 - - - 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅

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