H5DU5182EFR-J3C,H5DU5182EFR-J3C pdf中文资料,H5DU5182EFR-J3C引脚图,H5DU5182EFR-J3C电路-Datasheet-电子工程世界

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H5DU5182EFR-J3C: 产品描述512Mb DDR SDRAM; 产品类别存储存储; 文件大小518KB，共30页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

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H5DU5182EFR-J3C概述

512Mb DDR SDRAM

H5DU5182EFR-J3C规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	VBGA, BGA60,9X12,40/32
针数	60
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
JESD-609代码	e1
长度	12 mm
内存密度	536870912 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	60
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VBGA
封装等效代码	BGA60,9X12,40/32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.005 A
最大压摆率	0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	8 mm

H5DU5182EFR-J3C相似产品对比

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描述	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM	512Mb DDR SDRAM
是否Rohs认证	符合	-	符合	符合	符合	符合	符合	-	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA	-	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	-	BGA	BGA
包装说明	VBGA, BGA60,9X12,40/32	-	VBGA, BGA60,9X12,40/32	VBGA, BGA60,9X12,40/32	VBGA, BGA60,9X12,40/32	VBGA, BGA60,9X12,40/32	VBGA, BGA60,9X12,40/32	-	VBGA, BGA60,9X12,40/32	VBGA, BGA60,9X12,40/32
针数	60	-	60	60	60	60	60	-	60	60
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	-	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	-	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	-	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns	-	0.7 ns	0.75 ns	0.65 ns	0.75 ns	0.7 ns	-	0.75 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	-	166 MHz	133 MHz	250 MHz	100 MHz	200 MHz	-	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON
交错的突发长度	2,4,8	-	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	-	2,4,8	2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B60	-	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	-	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60
JESD-609代码	e1	-	e1	e1	e1	e1	e1	-	e1	e1
长度	12 mm	-	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	12 mm	-	12 mm	12 mm
内存密度	536870912 bi	-	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	-	536870912 bi	536870912 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	-	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	-	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	8	-	16	16	16	16	8	-	8	8
功能数量	1	-	1	1	1	1	1	-	1	1
端口数量	1	-	1	1	1	1	1	-	1	1
端子数量	60	-	60	60	60	60	60	-	60	60
字数	67108864 words	-	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	67108864 words	-	67108864 words	67108864 words
字数代码	64000000	-	32000000	32000000	32000000	32000000	64000000	-	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C
组织	64MX8	-	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	64MX8	-	64MX8	64MX8
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VBGA	-	VBGA	VBGA	VBGA	VBGA	VBGA	-	VBGA	VBGA
封装等效代码	BGA60,9X12,40/32	-	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32	-	BGA60,9X12,40/32	BGA60,9X12,40/32
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE	-	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE	-	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	260	260	260	260	260	-	260	260
电源	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.6 V	-	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	-	8192	8192	8192	8192	8192	-	8192	8192
座面最大高度	1 mm	-	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	-	1 mm	1 mm
自我刷新	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES	-	YES	YES
连续突发长度	2,4,8	-	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	2,4,8	-	2,4,8	2,4,8
最大待机电流	0.005 A	-	0.005 A	0.005 A	0.005 A	-	0.005 A	-	0.005 A	0.005 A
最大压摆率	0.24 mA	-	0.24 mA	0.24 mA	0.31 mA	-	0.26 mA	-	0.24 mA	0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	-	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	-	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	-	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	-	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES	-	YES	YES
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	-	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	-	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式	BALL	-	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	-	BALL	BALL
端子节距	1 mm	-	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	-	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	-	20	20	20	20	20	-	20	20
宽度	8 mm	-	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	-	8 mm	8 mm

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