256MBit MOBILE SDR SDRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | SK Hynix(海力士) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | VFBGA, BGA54,9X9,32 |
| 针数 | 54 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 5.4 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 105 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B54 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 长度 | 8 mm |
| 内存密度 | 268435456 bi |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 54 |
| 字数 | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -30 °C |
| 组织 | 16MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA |
| 封装等效代码 | BGA54,9X9,32 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 |
| 座面最大高度 | 1 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.0003 A |
| 最大压摆率 | 0.07 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 宽度 | 8 mm |
| H55S2562JFR-A3M | H55S2562JFR-75M | |
|---|---|---|
| 描述 | 256MBit MOBILE SDR SDRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O | 256MBit MOBILE SDR SDRAM based on 4M x 4Bank x16 I/O |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | SK Hynix(海力士) | SK Hynix(海力士) |
| 零件包装代码 | BGA | BGA |
| 包装说明 | VFBGA, BGA54,9X9,32 | VFBGA, BGA54,9X9,32 |
| 针数 | 54 | 54 |
| Reach Compliance Code | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 5.4 ns | 5.4 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 105 MHz | 133 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B54 | S-PBGA-B54 |
| JESD-609代码 | e1 | e1 |
| 长度 | 8 mm | 8 mm |
| 内存密度 | 268435456 bi | 268435456 bi |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 54 | 54 |
| 字数 | 16777216 words | 16777216 words |
| 字数代码 | 16000000 | 16000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -30 °C | -30 °C |
| 组织 | 16MX16 | 16MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA | VFBGA |
| 封装等效代码 | BGA54,9X9,32 | BGA54,9X9,32 |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 电源 | 1.8 V | 1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 8192 | 8192 |
| 座面最大高度 | 1 mm | 1 mm |
| 自我刷新 | YES | YES |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.0003 A | 0.0003 A |
| 最大压摆率 | 0.07 mA | 0.07 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | OTHER | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
| 端子形式 | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 | 20 |
| 宽度 | 8 mm | 8 mm |
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