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H55S1262EFP-75E: 产品描述128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O; 产品类别存储存储; 文件大小745KB，共54页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

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H55S1262EFP-75E概述

128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O

H55S1262EFP-75E规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	VFBGA, BGA54,9X9,32
针数	54
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	S-PBGA-B54
JESD-609代码	e1
长度	8 mm
内存密度	134217728 bi
内存集成电路类型	STATIC COLUMN DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	54
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	8MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装等效代码	BGA54,9X9,32
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.00001 A
最大压摆率	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	8 mm

H55S1262EFP-75E相似产品对比

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描述	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O	128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	VFBGA, BGA54,9X9,32	VFBGA, BGA54,9X9,32	VFBGA, BGA54,9X9,32	VFBGA, BGA54,9X9,32	VFBGA, BGA54,9X9,32	VFBGA, BGA54,9X9,32
针数	54	54	54	54	54	54
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns	5.4 ns	5.4 ns	7 ns	7 ns	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	166 MHz	166 MHz	105 MHz	105 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	S-PBGA-B54	S-PBGA-B54	S-PBGA-B54	S-PBGA-B54	S-PBGA-B54	S-PBGA-B54
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	e1	e1
长度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm
内存密度	134217728 bi	134217728 bi	134217728 bi	134217728 bi	134217728 bi	134217728 bi
内存集成电路类型	STATIC COLUMN DRAM	STATIC COLUMN DRAM	STATIC COLUMN DRAM	STATIC COLUMN DRAM	STATIC COLUMN DRAM	STATIC COLUMN DRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	54	54	54	54	54	54
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-25 °C	-25 °C	-30 °C	-25 °C	-30 °C	-30 °C
组织	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA	VFBGA
封装等效代码	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm
最大待机电流	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A	-	-	0.00001 A
最大压摆率	0.08 mA	0.08 mA	0.08 mA	-	-	0.08 mA

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