15V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | HIGH SPEED SATURATED SWITCHING |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 15 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 18 |
| JEDEC-95代码 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.6 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 400 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 12 ns |
| 最大开启时间（吨） | 12 ns |
| VCEsat-Max | 0.2 V |
| PN4275 | PN2369 | 2N5769 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 15V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 | 15V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknow |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.2 A | 0.2 A |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 18 | 20 | 20 |
| JEDEC-95代码 | TO-92 | TO-92 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.6 W | 0.5 W | 0.625 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 400 MHz | 500 MHz | 500 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 12 ns | 18 ns | 18 ns |
| 其他特性 | HIGH SPEED SATURATED SWITCHING | HIGH SPEED SATURATED SWITCHING | - |
| 集电极-发射极最大电压 | 15 V | 15 V | - |
| 最大开启时间（吨） | 12 ns | 12 ns | - |
| VCEsat-Max | 0.2 V | 0.25 V | - |
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