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PTB20060

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小54KB,共2页
制造商Ericsson
官网地址http://www.ericsson.com
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PTB20060概述

RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

PTB20060规格参数

参数名称属性值
厂商名称Ericsson
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接EMITTER
最大集电极电流 (IC)25 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-G4
元件数量2
端子数量4
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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