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HYMD216646A6J-D4

产品描述Unbuffered DDR SDRAM DIMM
产品类别存储    存储   
文件大小230KB,共18页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HYMD216646A6J-D4概述

Unbuffered DDR SDRAM DIMM

HYMD216646A6J-D4规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM184
针数184
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N184
内存密度1073741824 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM184
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

HYMD216646A6J-D4相似产品对比

HYMD216646A6J-D4 HYMD216646A6J-D43
描述 Unbuffered DDR SDRAM DIMM Unbuffered DDR SDRAM DIMM
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184
针数 184 184
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.7 ns 0.7 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 200 MHz 200 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184
内存密度 1073741824 bi 1073741824 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 64 64
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 184 184
字数 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 16MX64 16MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM184 DIMM184
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 2.5 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192
自我刷新 YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL

 
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