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RJS6004TDPN-EJ#T2

产品描述RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小55KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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RJS6004TDPN-EJ#T2概述

RECTIFIER DIODE

RJS6004TDPN-EJ#T2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明R-PSFM-T2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON CARBIDE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.8 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.015 µs
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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Preliminary Datasheet
RJS6004TDPN-EJ
600V - 10A - Diode
SiC Schottky Barrier Diode
Features
New semiconductor material: Silicon Carbide Diode
No reverse recovery / No forward recovery
R07DS0895EJ0101
Rev.1.01
Nov 21, 2012
Outline
RENESAS Package code: PRSS0003AN-A
(Package name: TO-220AB-2L)
1
1. Cathode
2. Anode
2
1
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Maximum reverse voltage
Continuous forward current
Peak surge forward current
Junction to case thermal impedance
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
RM
I
F
I
FSM
j-c
Tj
Tstg
Ratings
600
10
60
1.7
150
–55 to +150
Unit
V
A
A
C/W
C
C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Forward voltage
Reverse current
Reverse recovery time
Symbol
V
F
I
R
t
rr
Min
Typ
1.5
15
Max
1.8
10
Unit
V
A
ns
Test conditions
I
F
= 10 A
V
R
= 600 V
I
F
= 10 A, di/dt = 300A/s
R07DS0895EJ0101 Rev.1.01
Nov 21, 2012
Page 1 of 3
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