2014-02-25
Silicon PIN Photodiode
Silizium-PIN-Fotodiode
Version 1.1
SFH 2400 FA, SFH 2400 FAR
SFH 2400 FA
SFH 2400 FAR
• Especially suitable for applications from 750 nm to
1100 nm
• Short switching time (typ. 5 ns)
Features:
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von
750 nm bis 1100 nm
• Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
Besondere Merkmale:
Applications
• Industrial electronics
• Automotive (eg rain sensor, headset)
• Photointerrupters
• Industrieelektronik
• Automotomobil (z.B. Regensensor, Headset)
• Lichtschranken
Anwendungen
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Photocurrent
Fotostrom
V
R
= 5 V,
λ
= 870 nm, E
e
= 1 mW/cm
I
P
[µA]
SFH 2400 FA
6.2 (≥ 3.6)
Q65110A2638
Q65110A9563
SFH 2400 FAR 6.2 (≥ 3.6)
2
Ordering Code
Bestellnummer
2014-02-25
1
Version 1.1
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Symbol
Symbol
SFH 2400 FA, SFH 2400 FAR
Values
Werte
SFH 2400 FA
SFH 2400
FAR
Unit
Einheit
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Reverse voltage
Sperrspannung
(t < 2 min)
Total power dissipation
Verlustleistung
Thermal resistance for mounting on pcb
Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
T
op
; T
stg
V
R
V
R
-40 ... 100
20
50
°C
V
V
P
tot
R
thJA
120
450
mW
K/W
Symbol
Symbol
Values
Werte
SFH
2400
FA
SFH
2400
FAR
Unit
Einheit
Photocurrent
Fotostrom
(V
R
= 5 V,
λ
= 870 nm, E
e
= 1 mW/cm
2
)
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Half angle
Halbwinkel
I
P
6.2 (≥ 3.6)
µA
λ
S max
λ
10%
A
LxW
900
750 ... 1100
1.00
1x1
nm
nm
mm
2
mm x
mm
°
ϕ
± 60
2014-02-25
2
Version 1.1
Parameter
Bezeichnung
SFH 2400 FA, SFH 2400 FAR
Symbol
Symbol
Values
Werte
SFH
2400
FA
SFH
2400
FAR
nA
Unit
Einheit
Dark current
Dunkelstrom
(V
R
= 20 V)
Spectral sensitivity of the chip
Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips
(λ = 870 nm)
Quantum yield of the chip
Quantenausbeute des Chips
(λ = 870 nm)
Open-circuit voltage
Leerlaufspannung
(E
e
= 1 mW/cm
2
,
λ
= 870 nm)
Short-circuit current
Kurzschlussstrom
(E
e
= 1 mW/cm
2
,
λ
= 870 nm)
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(V
R
= 20 V, R
L
= 50
Ω, λ
= 850 nm, I
p
= 800
μA)
Forward voltage
Durchlassspannung
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Temperature coefficient of V
O
Temperaturkoeffizient von V
O
Temperature coefficient of I
SC
Temperaturkoeffizient von I
SC
(λ = 870 nm)
Noise equivalent power
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
(V
R
= 20 V,
λ
= 870 nm)
Detection limit
Nachweisgrenze
(V
R
= 20 V,
λ
= 870 nm)
I
R
1 (≤ 5)
S
λ
typ
0.65
A/W
η
0.93
Electro
ns
/Photon
mV
V
O
320
I
SC
6
µA
t
r
, t
f
0.005
µs
V
F
C
0
1.3
11
V
pF
TC
V
TC
I
-2.6
0.1
mV / K
%/K
NEP
0.028
pW /
Hz
½
cm x
Hz
½
/ W
D
*
3.6e12
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3
Version 1.1
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
SFH 2400 FA, SFH 2400 FAR
Photocurrent / Open-Circuit Voltage
Fotostrom / Leerlaufspannung
S
rel
= f(λ)
100
S
rel
%
80
OHF01773
I
P
(V
R
= 5 V) / V
O
= f(E
e
)
Ι
P
10
2
μ
A
OHF01765
10
4
mV
V
O
10
3
10
1
V
O
60
10
0
10
2
40
10
-1
Ι
P
10
1
20
0
400
600
800
1000 nm 1200
10
-2
10
0
10
0
10
1
10
2
μ
W/cm
2
10
4
λ
Total Power Dissipation
Verlustleistung
Dark Current
Dunkelstrom
E
e
P
tot
= f(T
A
)
140
mW
120
100
80
60
OHFD0228
I
R
= f(V
R
), E = 0
Ι
R
10
4
pA
OHF01026
P
tot
10
3
10
2
40
20
0
0
20
40
60
80 C 100
T
A
10
1
0
10
20
V
V
R
30
2014-02-25
4
Version 1.1
Capacitance
Kapazität
SFH 2400 FA, SFH 2400 FAR
Dark Current
Dunkelstrom
C = f(V
R
), f = 1 MHz, E = 0
I
R
= f(T
A
), V
R
= 10 V, E = 0
Directional Characteristics
Winkeldiagramm
S
rel
= f(ϕ)
40
30
20
10
ϕ
0
1.0
OHF01402
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2014-02-25
5
京公网安备 11010802033920号
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