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FMBS549D87Z

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPERSOT-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小205KB,共6页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FMBS549D87Z概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SUPERSOT-6

FMBS549D87Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量1
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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FMBS549
FMBS549
NC
C
E
Package: SuperSOT-6 single
Mark : .S1
B
C
C
Pin 1
PNP Low Saturation Transistor
ThIs device is designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to
2A continous. Sourced from process PB.
Absolute Maximum Ratings*
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J,
T
STG
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Value
30
35
5
1
2
-55 to +150
Units
V
V
V
A
A
°C
Collector Current- Continuous
- Peak Pulse Current
Operating and Storage Junction Temperature Range
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
Symbol
P
D
R
θJA
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Characteristics
Total Device Dissipation*
Thermal Resistance, Junction to Ambient, total
*
Device mounted on a 1 in2
pad of 2 oz copper.
Max
700
180
Units
mW
°C/W
©
1999 Fairchild Semiconductor
fmbs549.lwp Rev A PrPB
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