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HMT65797N-9

产品描述Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, PDSO24,
产品类别存储    存储   
文件大小85KB,共7页
制造商TEMIC
官网地址http://www.temic.de/
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HMT65797N-9概述

Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, PDSO24,

HMT65797N-9规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称TEMIC
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间55 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-G24
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量24
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX1
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP24,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.02 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

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MATRA MHS
HM 65797
256 K
×
1 High Speed CMOS SRAM
Introduction
The HM 65797 is a high speed CMOS static RAM
organized as 262, 144
×
1 bit. It is manufactured using
MHS high performance CMOS technology.
Access times as fast 20ns are available with maximum
power consumption of only 770 mW.
The HM 65797 features fully static operation requiring no
external clocks or timing strobes. The automatic
power-down feature reduces the power consumption by
67 % when the circuit is deselected.
Easy memory expansion is provided by an active low chip
select (CS) and three state drivers.
All inputs and outputs of the HM 65797 are TTL
compatible and operate from single 5 V supply thus
simplifying system design.
The HM 65797 is 100 % processed following the test
methods of MIL STD 883 and/or ESA/SCC 9000 making
it ideally suitable for military/space applications that
demand superior levels of performance and reliability.
Features
D
Fast access time
Commercial/industrial : 20/25/35/45/55 ns (max)
Military : 25/35/45/55 ns (max)
D
Low power consumption
Active : 770 mW
Standby : 220 mW
D
Wide temperature range :
–55°C to + 125°C
D
300 mils width package
D
TTL compatible inputs and outputs asynchronous
D
Capable of withstanding greater than 2000V electrostatic
discharge single 5 volt supply
Interface
Block Diagram
Rev. C (20/12/94)
1
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