SMBJ70: 产品描述Surface Mount TVS Diode; Direction: Unidirectional; V(BR) Typ (V): 77.8V; PPK Max (W): 600W; Condition: 10×1000us; VRWM Max (V): 70V; VBR Min (V): 111V; VBR Max (V): 123V; IR Max (uA): 5uA; VC Max (V): 125V; Package: SMB; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小832KB，共7页; 制造商Galaxy Microelectronics; 标准

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SMBJ70概述

Surface Mount TVS Diode; Direction: Unidirectional; V(BR) Typ (V): 77.8V; PPK Max (W): 600W; Condition: 10×1000us; VRWM Max (V): 70V; VBR Min (V): 111V; VBR Max (V): 123V; IR Max (uA): 5uA; VC Max (V): 125V; Package: SMB

SMBJ70规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Galaxy Microelectronics
零件包装代码	SMB
包装说明	R-PDSO-J2
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, PRSM-MIN, UL RECOGNIZED
最大击穿电压	95.1 V
最小击穿电压	77.8 V
击穿电压标称值	86.45 V
最大钳位电压	125 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AA
JESD-30 代码	R-PDSO-J2
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性	UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压	70 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	J BEND
端子位置	DUAL
类别
Condition	10×1000us
PPK (W)	600
VRWM (V) max.	70
VBR (V) min.	77.8
VBR (V) max.	95.1
IR (uA) max.	1
VC (V) max.	125
Condition1_IPP (A)	4.8
最高工作温度	150
最低工作温度	-55
是否无铅	Yes
符合Reach	Yes
符合RoHS	Yes
ECCN代码	EAR99
Package Outlines	SMB

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Production specification

Transient Voltage Suppressor

Features



Low incremental surge resistance,

excellent clamping capability

SMBJ5.0--SMBJ440CA



Low profile package with built-in strain relief

for surface mounted applications



600W peak pulse power capability with a 10/1000μs

Wave form, repetition rate (duty cycle): 0.01%



Very fast response time

High temperature soldering guaranteed:

250°C/10 seconds at terminals

Mechanical Data



Case: SMB molded plastic

Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0

Polarity: Color band denotes cathode end

Devices for Bidirectional Applications

For bi-directional devices, use suffix C or CA

(e.g. SMBJ10C, SMBJ10CA).

Electrical characteristics

apply in both directions.

Maximum Ratings

(@T

= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Peak power dissipation with a 10/1000μs waveform

(NOTE 1,2, FIG.1)

Peak pulse current with a 10/1000μs waveform (NOTE 1)

Typical thermal resistance, junction to ambient ( (NOTE 2)

Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave

uni-directional only (NOTE 3)

Typical thermal resistance, junction to lead

Operating junction and storage temperature range

Symbol

PPM

θ JA

FSM

θJL

, T

STG

Value

Minimum 600

See Table Below

100

-55---+150

Units

℃/W

℃

NOTES:

1. Non-repetitive current pules, per Fig. 3 and derated above TA=25 per Fig. 2.

2. Mounted on minimum recommended pad layout.

3. Mounted on 0.2 x 0.2" (5.0 x 5.0mm) copper pads to each terminal.

SMB601AA

Rev.B

www.gmesemi.com

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