SRAM Module, 1MX8, 20ns, CMOS, CDMA32, 0.600 INCH, DIP-32
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | B&B Electronics Manufacturing Company |
零件包装代码 | MODULE |
包装说明 | DIP, DIP32,.6 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 20 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-CDMA-T32 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 8388608 bit |
内存集成电路类型 | SRAM MODULE |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 1MX8 |
输出特性 | 3-STATE |
可输出 | NO |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP32,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.0006 A |
最小待机电流 | 2 V |
最大压摆率 | 0.23 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
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