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HN58C1001FP-12

产品描述EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO32, PLASTIC, SOP-32
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文件大小337KB,共15页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HN58C1001FP-12概述

EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO32, PLASTIC, SOP-32

HN58C1001FP-12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP32,.56
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
命令用户界面NO
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度20.45 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP32,.56
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
页面大小128 words
并行/串行PARALLEL
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度3.05 mm
最大待机电流0.00002 A
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
切换位YES

HN58C1001FP-12相似产品对比

HN58C1001FP-12 HN58C1001P-12 HN58C1001R-12 HN58C1001R-15 HN58C1001T-12
描述 EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO32, PLASTIC, SOP-32 EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO32, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-32 EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PDSO32, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-32 EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO32, PLASTIC, TSOP1-32
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 SOIC DIP TSOP1 TSOP1 TSOP1
包装说明 SOP, SOP32,.56 DIP, DIP32,.6 TSOP1-R, TSSOP32,.56,20 TSOP1-R, TSSOP32,.56,20 LSSOP, TSSOP32,.56,20
针数 32 32 32 32 32
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 120 ns 120 ns 120 ns 150 ns 120 ns
命令用户界面 NO NO NO NO NO
数据轮询 YES YES YES YES YES
JESD-30 代码 R-PDSO-G32 R-PDIP-T32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
长度 20.45 mm 41.9 mm 12.4 mm 12.4 mm 12.4 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP DIP TSOP1-R TSOP1-R LSSOP
封装等效代码 SOP32,.56 DIP32,.6 TSSOP32,.56,20 TSSOP32,.56,20 TSSOP32,.56,20
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
编程电压 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
就绪/忙碌 YES YES YES YES YES
座面最大高度 3.05 mm 5.08 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.27 mm
最大待机电流 0.00002 A 0.00002 A 0.00002 A 0.00002 A 0.00002 A
最大压摆率 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
切换位 YES YES YES YES YES
宽度 - 15.24 mm 8 mm 8 mm 8 mm
EVC不能调试
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