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HN482732AG-30

产品描述EPROM, 4KX8, 300ns, MOS, CDIP24
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文件大小108KB,共4页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HN482732AG-30概述

EPROM, 4KX8, 300ns, MOS, CDIP24

HN482732AG-30规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明DIP, DIP24,.6
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间300 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T24
JESD-609代码e0
内存密度32768 bit
内存宽度8
端子数量24
字数4096 words
字数代码4000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
编程电压21 V
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

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HN482732AG-30相似产品对比

HN482732AG-30 HN482732AG-25
描述 EPROM, 4KX8, 300ns, MOS, CDIP24 EPROM, 4KX8, 250ns, MOS, CDIP24
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
包装说明 DIP, DIP24,.6 DIP, DIP24,.6
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 300 ns 250 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDIP-T24 R-XDIP-T24
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 32768 bit 32768 bit
内存宽度 8 8
端子数量 24 24
字数 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 4KX8 4KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP
封装等效代码 DIP24,.6 DIP24,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
电源 5 V 5 V
编程电压 21 V 21 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL
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