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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BR3502
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BR3502

产品描述Bridge Rectifier Diode, 35A, 200V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小67KB，共2页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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BR3502概述

Bridge Rectifier Diode, 35A, 200V V(RRM),

BR3502规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
Reach Compliance Codeunknown
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量4
最高工作温度125 °C
最大输出电流35 A
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
BR35005- - -BR3510
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT: 35.0 A
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
Rating to 1000V PRV
Surge overload rating to
400
Amperes peak
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction utilizing molded
plastic technique results in inexpensive product
Lead solderable per MIL-STD-202 method 208
Mounting: thru hole for # 8 screw
mounting
BR
METAL HEAT SINK
.452
(11.5)
MAX
.480(12.2)
.425(10.8)
PLASTIC
1.181(30.0)
1.102(28.0)
.673(17.1)
.633(16.1)
HOLE FOR
NO.8 SCREW
AC
.732(18.6)
.692(17.6)
-
+
1.181(30.0)
1.102(28.0)
.673(17.1)
.633(16.1)
AC
.582(14.8)
.543(13.8)
.033x 250
(0.8x 6.4)
inch (mm)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BR
35005
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard
output current
@T
A
=50
BR
3501
100
70
100
BR
3502
200
140
200
BR
3504
400
280
400
35.0
BR
3506
600
420
600
BR
3508
800
560
800
BR
3510
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 17.5 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
I
FSM
400.0
A
V
F
I
R
T
J
T
STG
1.1
10.0
1.0
- 55 ---- + 125
- 55 ---- + 150
V
μA
mA
Operating junction temperature range
Storage temperature range
www.galaxycn.com
Document Number 0287053
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

BR3502相似产品对比

BR3502 BR3506 BR3508 BR3510 BR3501 BR3504
描述 Bridge Rectifier Diode, 35A, 200V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 35A, 600V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 35A, 800V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 35A, 1000V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 35A, 100V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 35A, 400V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.1 V
最大非重复峰值正向电流 400 A 400 A 400 A 400 A 400 A 400 A
元件数量 4 4 4 4 4 4
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最大输出电流 35 A 35 A 35 A 35 A 35 A 35 A
最大重复峰值反向电压 200 V 600 V 800 V 1000 V 100 V 400 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO

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器件捷径:   A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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