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1N4937

产品描述1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小76KB,共2页
制造商CTC [Compact Technology Corp.]
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1N4937概述

1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 600 V, 硅, 信号二极管, DO-41

1N4937规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
状态TRANSFERRED
包装形状ROUND
包装尺寸LONG FORM
端子形式WIRE
端子涂层TIN LEAD
端子位置AXIAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
二极管类型SIGNAL DIODE
反向恢复时间最大0.2000 us
最大重复峰值反向电压600 V
最大平均正向电流1 A

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Compact Technology
1N4933 thru 1N4937
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
600
Volts
FORWARD CURRENT
- 1.0
Ampere
FAST RECOVERY RECTIFIERS
FEATURES
Fast switching for high efficiency
Low cost
Diffused junction
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
The plastic material carries UL recognition 94V-0
A
DO-41
B
A
C
D
MECHANICAL DATA
Case : JEDEC DO-41 molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.012 ounces, 0.34 grams
Mounting position : Any
DO-41
Dim.
A
B
C
Min.
25.4
4.20
0.70
Max.
-
5.20
0.90
2.00
2.70
D
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
SYMBOL
1N4933
50
35
50
1N4934
100
70
100
1N4935
200
140
200
1N4936
400
280
400
1N4937
600
420
600
UNIT
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
@T
A
=
75 C
1.0
30
1.3
5.0
100
200
130
15
50
-55 to +150
-55 to +150
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load(JEDEC Method)
Maximum forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
I
FSM
V
F
I
R
T
RR
T
RR
A
V
uA
uA
ns
ns
pF
C/W
@T
J
=25 C
@T
J
=100 C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
Typical Junction
Capacitance (Note 3)
Typical Thermal Resistance (Note 4)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
C
J
R
0JA
T
J
T
STG
C
C
NOTES : 1.Measured with I
F
=1.0A,V
R
=30V,di/dt=50A/us.
2.Measured with I
F
=0.5A,I
R
=1A,I
RR
=0.25A.
3.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
4.Thermal Resistance Junction to Ambient.
CTC0120 Ver.
2.0
1 of 2
1N4933 thru 1N4937

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