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1N4936G

产品描述1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小46KB,共2页
制造商CTC [Compact Technology Corp.]
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1N4936G概述

1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

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Compact Technology
1N4933G thru 1N4937G
REVERSE VOLTAGE -
50
to
600
Volts
FORWARD CURRENT -
1.0
Ampere
FAST RECOVERY
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
FEATURES
Fast switching for high efficiency
Glass passivated chip
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
Plastic material has UL flammability classification
94V-0
A
DO-41
B
A
C
D
MECHANICAL DATA
Case : DO-41 molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.012 ounces, 0.34 grams
Mounting position : Any
DO-41
Dim.
A
B
C
Min.
25.4
4.10
0.70
Max.
-
5.20
0.90
2.00
2.70
D
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
super imposed on rated load
Maximum forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
SYMBOL
1N4933G
1N4934G
100
70
100
1N4935G
200
140
200
1.0
30
1.3
5.0
100
200
130
15
50
-55 to +150
-55 to +150
1N4936G
400
280
400
1N4937G
600
420
600
UNIT
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
@T
A
=
75 C
I
FSM
V
F
I
R
T
RR
T
RR
A
V
uA
uA
ns
ns
pF
C/W
@T
J
=25 C
@T
J
=100 C
Typical Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Reverse Recovery Time (Note 2)
Typical Junction
Capacitance (Note 3)
Typical Thermal Resistance (Note 4)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
C
J
R
0JA
T
J
T
STG
C
C
NOTES : 1.Measured with I
F
=1.0A,V
R
=30V,di/dt=50A/us.
2.Measured with I
F
=0.5A,I
R
=1A,I
RR
=0.25A.
3.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
4.Thermal Resistance Junction to Ambient.
CTC0129
Ver.
2.0
1
of 2
1N4933G thru 1N4937G

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1N4936G 1N4933G 1N4935G 1N4934G 1N4937G
描述 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 SIGNAL DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 SIGNAL DIODE
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