电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

IDT70V3579S5DRI8

产品描述Dual-Port SRAM, 32KX36, 5ns, PQFP208, PLASTIC, QFP-208
产品类别存储    存储   
文件大小191KB,共17页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IDT70V3579S5DRI8概述

Dual-Port SRAM, 32KX36, 5ns, PQFP208, PLASTIC, QFP-208

IDT70V3579S5DRI8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明FQFP,
针数208
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间5 ns
JESD-30 代码S-PQFP-G208
JESD-609代码e0
长度28 mm
内存密度1179648 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量208
字数32768 words
字数代码32000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FQFP
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.1 mm
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度28 mm

文档预览

下载PDF文档
HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36
SYNCHRONOUS PIPELINED
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
Features:
IDT70V3579S
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed clock to data access
– Commercial: 4.2/5/6ns (max.)
– Industrial: 5ns (max)
Pipelined output mode
Counter enable and reset features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Full synchronous operation on both ports
– 7.5ns cycle time, 133MHz operation (9.6 Gbps bandwidth)
– Fast 4.2ns clock to data out
– 1.8ns setup to clock and 0.7ns hold on all control, data, and
address inputs @ 133MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
LVTTL- compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for
core
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±125mV)
power supply for I/Os and control signals on each port
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available for selected speeds
Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack (PQFP) and
208-pin fine pitch Ball Grid Array, and 256-pin Ball Grid
Array
Functional Block Diagram
BE
3L
BE
3R
BE
2L
BE
1L
BE
0L
BE
2R
BE
1R
BE
0R
R/W
L
B
W
0
L
B
W
1
L
B B
WW
2 3
L L
B
W
3
R
BB
WW
2 1
RR
B
W
0
R
R/W
R
CE
0L
CE
1L
CE
0R
CE
1R
OE
L
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout18-26_L
Dout27-35_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
Dout18-26_R
Dout27-35_R
OE
R
32K x 36
MEMORY
ARRAY
I/O
0L
- I/O
35L
Din_L
Din_R
I/O
0R
- I/O
35R
CLK
L
A
14L
A
0L
CNTRST
L
ADS
L
CNTEN
L
CLK
R
,
Counter/
Address
Reg.
A
14R
ADDR_L
ADDR_R
Counter/
Address
Reg.
A
0R
CNTRST
R
ADS
R
CNTEN
R
4830 tbl 01
DECEMBER 2001
1
©2001 Integrated Device Technology, Inc.
DSC 4830/14

IDT70V3579S5DRI8相似产品对比

IDT70V3579S5DRI8 IDT70V3579S4DR9 IDT70V3579S4DR8 IDT70V3579S5DR9 IDT70V3579S6DR8 IDT70V3579S6DR9 IDT70V3579S5DR8
描述 Dual-Port SRAM, 32KX36, 5ns, PQFP208, PLASTIC, QFP-208 Dual-Port SRAM, 32KX36, 4.2ns, PQFP208, PLASTIC, QFP-208 Dual-Port SRAM, 32KX36, 4.2ns, PQFP208, PLASTIC, QFP-208 Dual-Port SRAM, 32KX36, 5ns, PQFP208, PLASTIC, QFP-208 Dual-Port SRAM, 32KX36, 6ns, PQFP208, PLASTIC, QFP-208 Dual-Port SRAM, 32KX36, 6ns, PQFP208, PLASTIC, QFP-208 Dual-Port SRAM, 32KX36, 5ns, PQFP208, PLASTIC, QFP-208
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP
包装说明 FQFP, PLASTIC, QFP-208 FQFP, PLASTIC, QFP-208 FQFP, PLASTIC, QFP-208 FQFP,
针数 208 208 208 208 208 208 208
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compli
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 5 ns 4.2 ns 4.2 ns 5 ns 6 ns 6 ns 5 ns
JESD-30 代码 S-PQFP-G208 S-PQFP-G208 S-PQFP-G208 S-PQFP-G208 S-PQFP-G208 S-PQFP-G208 S-PQFP-G208
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 28 mm 28 mm 28 mm 28 mm 28 mm 28 mm 28 mm
内存密度 1179648 bit 1179648 bit 1179648 bit 1179648 bit 1179648 bit 1179648 bit 1179648 bi
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 36 36 36 36 36 36 36
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 208 208 208 208 208 208 208
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32KX36 32KX36 32KX36 32KX36 32KX36 32KX36 32KX36
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 FQFP FQFP FQFP FQFP FQFP FQFP FQFP
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK, FINE PITCH FLATPACK, FINE PITCH FLATPACK, FINE PITCH FLATPACK, FINE PITCH FLATPACK, FINE PITCH FLATPACK, FINE PITCH FLATPACK, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 225 225 225 225
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.1 mm 4.1 mm 4.1 mm 4.1 mm 4.1 mm 4.1 mm 4.1 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.45 V 3.45 V 3.45 V 3.45 V 3.45 V 3.45 V 3.45 V
最小供电电压 (Vsup) 3.15 V 3.15 V 3.15 V 3.15 V 3.15 V 3.15 V 3.15 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 20 20 20 20 20
宽度 28 mm 28 mm 28 mm 28 mm 28 mm 28 mm 28 mm
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
其他特性 - PIPELINED OUTPUT MODE, SELF-TIMED WRITE CYCLE PIPELINED OUTPUT MODE, SELF-TIMED WRITE CYCLE PIPELINED OUTPUT MODE, SELF-TIMED WRITE CYCLE PIPELINED OUTPUT MODE, SELF-TIMED WRITE CYCLE PIPELINED OUTPUT MODE, SELF-TIMED WRITE CYCLE PIPELINED OUTPUT MODE, SELF-TIMED WRITE CYCLE
请问怎么做哈。。。
以1KHz的采样频率对A/D进行采样,将采样通道号和采样结果显示在LCD屏上。利用K1,K2按键切换采样通道,按K1采样显示第一通道。按K2采样显示第二通道。...
hll0556 ARM技术
DIY手套电话
  以下的字句将告诉你,我是如何将一副蓝牙耳麦拆开来,然后将它缝入一只手套之中的,这样我就能只要把手举到耳边就能够通电话了,而表面上看我仿佛是在假装打电话一样!但我其实真的在打电 ......
凯哥 创意市集
CCS能进行定时器中断软仿真吗
我做定时器中断软仿真的时候发现进入不了中断,有哪位大神知道怎么做吗?...
烟雨江南 DSP 与 ARM 处理器
指纹产品在汽车领域里的应用
中国生物识别以指纹识别为代表,它的商业化应用发轫于上世纪90年代初,而关于自动指纹识别系统(AFIS)的理论研究更早就开始了——70年代末80年代初有些研究机构就已经开始这方面的工作。除指纹 ......
KG5 汽车电子
“山寨汽车”在中国县级市悄然兴起
(北京综合讯)随着汽车大量进入中国人的家庭,山寨汽车正在悄然兴起,这些模仿或使用他厂品牌的山寨汽车,已在中国山东聊城市区和县城的街头看到。   据中央电视台(CCTV)经济半小时报道, ......
bolibo123 汽车电子
2017电赛板球系统
做得不好。大一第一次参加电赛,收获不少。特地来此分享。 作为大一参加电赛,我们的压力必然是很大的,抱着水一水的心态,结果还是让人有点出乎意料,希望能够给你提供帮助。 ...
熊猫大叔的胸毛 stm32/stm8

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 53  386  2630  344  781  19  46  44  51  59 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved