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APT551R6AN

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小393KB,共4页
制造商ADPOW
官网地址http://www.advancedpower.com/
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APT551R6AN概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

APT551R6AN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ADPOW
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)6 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)150 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

APT551R6AN相似产品对比

APT551R6AN APT551R3AN
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 ADPOW ADPOW
Reach Compliance Code unknown unknown
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 6 A 6.5 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W 150 W
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
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