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HMT351U6MFR8C-G7

产品描述240pin DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs
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文件大小386KB,共47页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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HMT351U6MFR8C-G7概述

240pin DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs

HMT351U6MFR8C-G7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM240,40
针数240
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)533 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N240
内存密度34359738368 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量240
字数536870912 words
字数代码512000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织512MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM240,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)260
电源1.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大待机电流0.208 A
最大压摆率2.89 mA
最大供电电压 (Vsup)1.575 V
最小供电电压 (Vsup)1.425 V
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20

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240pin DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs
DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs
Based on 2Gb M version
HMT351U6MFR8C
HMT351U7MFR8C
** Contents are subject to change without prior notice.
Rev. 0.3 / Jan 2009
1

HMT351U6MFR8C-G7相似产品对比

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描述 240pin DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs 240pin DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs 240pin DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs 240pin DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs 240pin DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs 240pin DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 HALOGEN FREE, UBDIMM-240 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40
针数 240 240 240 240 240 240
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 533 MHz 400 MHz 667 MHz 533 MHz 667 MHz 400 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240
内存密度 34359738368 bi 34359738368 bi 34359738368 bi 38654705664 bi 38654705664 bi 38654705664 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 72 72 72
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 240 240 240 240 240 240
字数 536870912 words 536870912 words 536870912 words 536870912 words 536870912 words 536870912 words
字数代码 512000000 512000000 512000000 512000000 512000000 512000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
组织 512MX64 512MX64 512MX64 512MX72 512MX72 512MX72
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260
电源 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V
最小供电电压 (Vsup) 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V
标称供电电压 (Vsup) 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 20 20 20 20
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