Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HMT312S6BFR6C-PB

文档预览

HMT312S6BFR6C-PB: 产品描述204pin DDR3 SDRAM SODIMM; 产品类别存储存储; 文件大小551KB，共54页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

HMT312S6BFR6C-PB概述

204pin DDR3 SDRAM SODIMM

HMT312S6BFR6C-PB规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DMA
包装说明	DIMM, DIMM204,24
针数	204
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	20 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	800 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N204
JESD-609代码	e1
长度	67.6 mm
内存密度	8589934592 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	204
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	128MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM204,24
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	3.8 mm
自我刷新	YES
最大待机电流	0.12 A
最大压摆率	0.72 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.6 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	30 mm

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

204pin DDR3 SDRAM SODIMM

DDR3 SDRAM

Unbuffered SODIMMs

Based on 2Gb B-die

HMT312S6BFR6C

HMT325S6BFR6C

HMT325S6BFR8C

HMT351S6BFR8C

*Hynix Semiconductor reserves the right to change products or specifications without notice.

Rev. 0.2 / Feb. 2010

HMT312S6BFR6C-PB相似产品对比

	HMT312S6BFR6C-PB	HMT312S6BFR6C-H9	HMT312S6BFR6C-G7	HMT325S6BFR6C-G7	HMT325S6BFR8C-G7	HMT325S6BFR6C-H9	HMT325S6BFR8C-H9	HMT351S6BFR8C-G7	HMT351S6BFR8C-PB	HMT351S6BFR8C-H9
描述	204pin DDR3 SDRAM SODIMM	204pin DDR3 SDRAM SODIMM	204pin DDR3 SDRAM SODIMM	204pin DDR3 SDRAM SODIMM	204pin DDR3 SDRAM SODIMM	204pin DDR3 SDRAM SODIMM	204pin DDR3 SDRAM SODIMM	204pin DDR3 SDRAM SODIMM	204pin DDR3 SDRAM SODIMM	204pin DDR3 SDRAM SODIMM
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA
包装说明	DIMM, DIMM204,24	DIMM, DIMM204,24	DIMM, DIMM204,24	DIMM, DIMM204,24	DIMM, DIMM204,24	DIMM, DIMM204,24	DIMM, DIMM204,24	DIMM, DIMM204,24	DIMM, DIMM204,24	DIMM, DIMM204,24
针数	204	204	204	204	204	204	204	204	204	204
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	800 MHz	667 MHz	533 MHz	533 MHz	533 MHz	667 MHz	667 MHz	533 MHz	800 MHz	667 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N204	R-XDMA-N204	R-XDMA-N204	R-XDMA-N204	R-XDMA-N204	R-XDMA-N204	R-XDMA-N204	R-XDMA-N204	R-XDMA-N204	R-XDMA-N204
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1
长度	67.6 mm	67.6 mm	67.6 mm	67.6 mm	67.6 mm	67.6 mm	67.6 mm	67.6 mm	67.6 mm	67.6 mm
内存密度	8589934592 bi	8589934592 bi	8589934592 bi	17179869184 bi	17179869184 bi	17179869184 bi	17179869184 bi	34359738368 bi	34359738368 bi	34359738368 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	64	64	64	64	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	204	204	204	204	204	204	204	204	204	204
字数	134217728 words	134217728 words	134217728 words	268435456 words	268435456 words	268435456 words	268435456 words	536870912 words	536870912 words	536870912 words
字数代码	128000000	128000000	128000000	256000000	256000000	256000000	256000000	512000000	512000000	512000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
组织	128MX64	128MX64	128MX64	256MX64	256MX64	256MX64	256MX64	512MX64	512MX64	512MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM204,24	DIMM204,24	DIMM204,24	DIMM204,24	DIMM204,24	DIMM204,24	DIMM204,24	DIMM204,24	DIMM204,24	DIMM204,24
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260	260	260
电源	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
座面最大高度	3.8 mm	3.8 mm	3.8 mm	3.8 mm	3.8 mm	3.8 mm	3.8 mm	3.8 mm	3.8 mm	3.8 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.12 A	0.12 A	0.1 A	0.096 A	0.096 A	0.096 A	0.096 A	0.192 A	0.192 A	0.192 A
最大压摆率	0.72 mA	0.68 mA	0.52 mA	0.7 mA	1.2 mA	0.8 mA	1.24 mA	1.4 mA	1.6 mA	1.48 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20	20	20	20	20	20
宽度	30 mm	30 mm	30 mm	30 mm	30 mm	30 mm	30 mm	30 mm	30 mm	30 mm

推荐资源

有哪些TI的运放适合做前级: 本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 11:35 编辑有哪些TI的运放适合做前级，我打算做放大器类的题目，最好在推荐几款后级运放请大家推荐后，我去申请的 ...; sw3926 模拟与混合信号

哪位兄弟有远峰开发板的CE5.0的BSP哦: 基于SamArmDvk9 Ⅱ开发板，哪位朋友有 WinCE5.0的BSP哦？？...; quuuuok 嵌入式系统

51单片机C语言，哈工大（视频教程，09讲）: http://www.714e.com/bbs/images/logo.gif...; 风于韧 51单片机

【低功耗】低功耗FPGA在家庭医疗设备中的应用.pdf: 77295...; 欣之 FPGA/CPLD

感谢有你——我的知己: 感谢有你——老同学兰兰 2019年眼看就要结束了，感谢这么多年来的陪伴与包容，我是一个性格比较孤僻的人，也没有多少朋友，不论是生活中的遇到困难，还是工作中的委屈，你都能 ......; zx1988ZX 聊聊、笑笑、闹闹

打开811光盘里电路图要睡着看，着实别扭，我把他修改成头朝上了。: 见附件，PDF的和word的...; xu__changhua 微控制器 MCU

RFID技术的发展与标准化情况

　　【提要】无线射频识别(RFID)技术是一种识别技术，与之对应的识别技术还有一维条码、二维条码、光学识别技术等。 RFID技术并不是全新的技术，其应用最早可以追溯到第二次世界大战时期英国空军基地的军事设施上。近年来随着微电子、计算机和网络技术的发展，RFID技术的应用范围和深度都得到了迅速地发展。美国在伊拉克战争中对RFID技术的成功应用，以及全球有影响的大企业计划未来几年里在零售商店...[详细]
未来五年中国UHFRFID市场增长率达82.8%

据 IDC 最新发布的报告《中国 RFID 行业解决方案市场 2007-2011 年预测与分析》显示， 2006 年 RFID 跨行业应用总体市场规模为 24.2 亿元 ( 约 3.02 亿美元 ) ，涵盖的应用领域包括供应链、人员、财产、车辆管理，门禁控制、防伪、动物识别等，其中超高频 RFID 应用市场规模占 RFID 总体应用规模的 10....[详细]
台湾晶圆厂登陆将进一步开放政策最快9月出台

　　马英九7月10日表示，晶圆厂赴大陆投资会进一步开放。这是否意味包括晶圆制程朝90纳米及十二英寸晶圆厂近期将可望解禁？台当局“经济部投审会”表示，“经济部”正在研议中，还未决定开放范围，预计八月会紧锣密鼓邀集相关单位及业者协商，晶圆产业进一步开放的具体政策最快九月才会宣布。　　据台湾中广新闻网报道，马英九支持对合理且必要的高科技业，进一步开放登陆投资。这番话被解读目前开放八英寸晶圆及0.1...[详细]
对FPGA设计进行编程并不困难

　　　　　　最新的C语言工具可让不精通硬件开发的您快速完成算法密集型应用的设计。　　硬件设计者已经开始在高性能DSP的设计中采用FPGA技术，因为它可以提供比基于PC或者单片机的解决方法快上10-100倍的运算量。以前，对硬件设计不熟悉的软件开发者们很难发挥出FPGA的优势，而如今基于C语言的方法可以让软件开发者毫不费力的将FPGA的优势发挥得淋漓尽致。这些基于C语言的开发工具可以比基于H...[详细]
高性能、低饱和线性稳压器的开发

　　在整机设备不断实现小型化和省电化的今天，功耗小的低漏失线性稳压器（LDO)正成为开关电源用线性稳压器市场的主流。为了实现高性能和高速度，设备内部采用的微型计算机或数字信号处理器(DSP)工艺年年都在取得突飞猛进的进步和发展，与此同时，这些微型计算机或数字信号处理器必不可少的电源电压也越来越低。另外，不同制造工艺对应的电压各自存在差异，因此要求各种各样的供电电压。为解决这一问题，各生产厂商开始在...[详细]
手穴诊疗仪设计原理

　　摘要　　“手穴诊疗仪”主要为提供个人使用，一般使用者只要利用连接本仪器之穴位探棒，即可自行寻找手掌上之穴位，当寻找到手掌上的穴位时，使用者会感到穴位探棒传来的刺激感，同时“手穴诊疗仪”会对该穴位进行判读，透过内建的显示屏幕告知使用者一个客观的指标，以此了解该穴位所对应的人体器官是否建康。　　除了诊察穴道的功用，“手穴诊疗仪”能够利用不同频率的电流输出，而得到中医针灸之效果，此功...[详细]
加拿大“微型机器手” 可完好抓起细胞

　　据英国《新科学家》杂志今日报道，加拿大多伦多大学开发的新型微型机器手是一对微型的机器钳子，具有最灵敏的抓握，可抓起和移动一个细胞，而不破坏这个细胞。此微型机器手可用于组装细胞到人造组织结构中，或制造微米级和纳米级的装置。　　此机器钳子可施展小到20纳牛顿的力，1纳牛顿是十亿分之一牛顿。加拿大多伦多大学负责开发此项目的研究人员孙余(音译)表示，这是机器人首次能感受到它们如此轻微地抓握物体的...[详细]
NEPCON华南展精品纷呈更显专业魅力

　　8月26-29日，由励展博览集团和中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会共同主办的第十四届华南国际电子生产设备暨微电子工业展/华南国际电子制造技术展览会（NEPCON华南展）将在深圳会展中心隆重举行。这是电子设备及制造技术行业最大最全面的专业盛会，更是一场国际交流盛会。展会覆盖电子制造业的整个产业链，内容涉及表面贴装技术（SMT）、电子制造服务、测试与测量设备、元器件、印刷电路板、防静电及最...[详细]
新型三维物体识别和图像处理可检测肿瘤

　　英国赫特福德大学的研究人员开发出一项新技术，该技术可以使肿瘤的检测更加准确。 Soodamani Ramalingam博士及其领导的研究小组开发了一种三维物体识别和图像处理技术，该技术可帮助医生得到更加准确的人类肿瘤图像，从而使恶性肿瘤得到更好的识别和更佳的治疗机会。该研究小组目前正在寻求合作者以及进一步的资金支持，并计划在三年内将该技术普及到英国国内医院。该研究...[详细]
660万颗LED芯片编织“水立方之眼”

　　“水立方”即国家游泳中心是北京奥运会重要场馆之一，被誉为“水立方之眼”的“幔态LED显示工程”是由大连路明集团建造的。该项目是经过奥组委、国资委专家多次考察论证，在20多个国内外知名企业的竞标中一举夺魁的，创造了7项世界突破，完全使用路明自主研发的路美芯片达660万颗，被称为“世界幔态显示第一屏”。昨日，路明集团有关负责人接受了记者的采访，揭秘“水立方”幔态LED显示工程建设奇迹。 LED...[详细]
芯片集成度日益增强传感器市场趋于数字化

模拟还是数字？在工业化测量和控制领域，这还存在争执。尽管问题很简单，并且有越来越多的数字化产品，但仍然很难下结论。传感器设备集成了越来越多的数字化电路和接口。一些控制领域的应用，要求很多不同的输入以及多变量的处理。这些复杂的要求只有数字电路应付得过来。然而，在另一些应用中，模拟依旧占主导地位。传感器提供了数字输出信号，这需要内部具备集成的电路，如ADC以及串行器。因为制...[详细]
TD射频供应商阵营初步形成 HSDPA是热点

　　在厂商的进进出出之后，目前的TD射频芯片供应厂商形成了几大阵营，分别是大唐/联发科、展讯、ST-NXP。芯片是TD产业推进的关键，而芯片是否能够支持HSDPA是大家最为关注的，HSDPA的研发难度也是非常大的，厂商要克服不同调制方式、信噪比、误差向量幅度等诸多要求的挑战。可以预见，TD手机芯片方案最终也将走向单芯片，而这其中，非常关键的技术就是CMOSRF(互补金属氧化物半导体射频)技术。 ...[详细]
基于PC/104的1553B总线测控系统的设计与实现

　　引言　　随着我国航空事业的迅速发展，各种新型飞机和发控设备相继研制成功，以往一些测控设备在功能和性能上已无法满足新的要求。本测控系统就是在某型飞机的研制过程中扩展出来的一个功能比较全面的1553总线测控系统，总体上采用了PC/104结构的嵌入式系统，既可以实现1553总线数据的实时接收和发送，还可以完成多路数据的采集及负载控制。　　总体概述及工作原理　　本系统的主要功能是对外部的...[详细]
意法半导体：汽车电子市场发展面临压力巨大

　　意法半导体(ST)预期2008年销售额增长率可达两位数。但由于市场可见度不佳，该公司仍然保持谨慎。意法半导体总裁兼首席执行官Carlo Bozotti强调指出，欧美汽车市场面临压力，而无线产业则显露疲态。　　2008年第二季度，意法半导体宣布所有领域都实现了同比增长，工业与其它(增长20%)和电信(增长19%)表现出色，其次是电脑与消费领域分别增长12%和11%，汽车领域增长7%。从环比...[详细]
半导体行业发展十字路口：何去何从？

　　伦敦——这周早些时候我们报道过Malcolm Penn认为：“在新兴市场对电子类产品需求的带动下，未来的IC市场会持续增长。对IC的需求持续增长，生产的投入却相对不足，必定会导致IC价格的上扬”。但是，恩智普、意法半导体和英飞凌对此表示了谨慎的乐观，他们认为全球油价的居高不下会影响对IC的需求。　　市场正处在十字路口。从一些主要市场的表现来说一些金融学家认为上述企业的说法是正确的。而一些...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

随便看看