HMT125S6BFR8C-H9概述

204pin DDR3 SDRAM SODIMMs

HMT125S6BFR8C-H9规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	SODIMM
包装说明	DIMM, DIMM204,24
针数	204
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	20 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	667 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XZMA-N204
内存密度	17179869184 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	204
字数	268435456 words
字数代码	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	256MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM204,24
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.5,3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.16 A
最大压摆率	2.68 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.6 mm
端子位置	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	20

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204pin DDR3 SDRAM SODIMMs

DDR3 SDRAM

Unbuffered SODIMMs

Based on 1Gb B version

HMT164S6BFR6C

HMT112S6BFR6C

HMT125S6BFR8C

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Rev. 0.5 / Sep. 2009

HMT125S6BFR8C-H9相似产品对比

	HMT125S6BFR8C-H9	HMT112S6BFR6C-H9	HMT112S6BFR6C-G7	HMT164S6BFR6C-G7	HMT164S6BFR6C-H9
描述	204pin DDR3 SDRAM SODIMMs	204pin DDR3 SDRAM SODIMMs	204pin DDR3 SDRAM SODIMMs	204pin DDR3 SDRAM SODIMMs	204pin DDR3 SDRAM SODIMMs
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	SODIMM	SODIMM	SODIMM	SODIMM	SODIMM
包装说明	DIMM, DIMM204,24	DIMM, DIMM204,24	DIMM, DIMM204,24	DIMM, DIMM204,24	DIMM, DIMM204,24
针数	204	204	204	204	204
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	667 MHz	667 MHz	533 MHz	533 MHz	667 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XZMA-N204	R-XZMA-N204	R-XZMA-N204	R-XZMA-N204	R-XZMA-N204
内存密度	17179869184 bi	8589934592 bi	8589934592 bi	4294967296 bi	4294967296 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	64	64	64	64	64
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1
端子数量	204	204	204	204	204
字数	268435456 words	134217728 words	134217728 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	256000000	128000000	128000000	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
组织	256MX64	128MX64	128MX64	64MX64	64MX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM204,24	DIMM204,24	DIMM204,24	DIMM204,24	DIMM204,24
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260
电源	1.5,3.3 V	1.5,3.3 V	1.5,3.3 V	1.5,3.3 V	1.5,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES
最大待机电流	0.16 A	0.08 A	0.08 A	0.04 A	0.04 A
最大压摆率	2.68 mA	1.6 mA	1.36 mA	1.08 mA	1.28 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm	0.6 mm
端子位置	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20

HMT125S6BFR8C-H9

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