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HMT112V7AFP8C-H9

产品描述240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM
产品类别存储    存储   
文件大小741KB,共25页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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HMT112V7AFP8C-H9概述

240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM

HMT112V7AFP8C-H9规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM240,40
针数240
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)667 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N240
长度133.35 mm
内存密度9663676416 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量240
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织128MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM240,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源1.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度18.9 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.318 A
最大压摆率3.464 mA
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL
宽度18.75 mm

HMT112V7AFP8C-H9相似产品对比

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描述 240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM 240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM 240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM 240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM 240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM 240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40
针数 240 240 240 240 240 240
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 667 MHz 533 MHz 533 MHz 667 MHz 667 MHz 533 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240
长度 133.35 mm 133.35 mm 133.35 mm 133.35 mm 133.35 mm 133.35 mm
内存密度 9663676416 bi 19327352832 bi 19327352832 bi 19327352832 bi 38654705664 bit 38654705664 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72 72 72 72
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 240 240 240 240 240 240
字数 134217728 words 268435456 words 268435456 words 268435456 words 536870912 words 536870912 words
字数代码 128000000 256000000 256000000 256000000 512000000 512000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
组织 128MX72 256MX72 256MX72 256MX72 512MX72 512MX72
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40 DIMM240,40
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192
座面最大高度 18.9 mm 18.9 mm 18.9 mm 18.9 mm 18.9 mm 18.9 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大待机电流 0.318 A 0.408 A 0.408 A 0.408 A 0.588 A 0.588 A
最大压摆率 3.464 mA 5.26 mA 3.599 mA 4.139 mA 7.514 mA 6.434 mA
标称供电电压 (Vsup) 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 18.75 mm 18.75 mm 18.75 mm 18.75 mm 18.75 mm 18.75 mm

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