HMT112U6TFR8C-G7概述

240pin DDR3 SDRAM Registered DIMM

HMT112U6TFR8C-G7规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM240,40
针数	240
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间	1.875 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	533 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N240
JESD-609代码	e1
内存密度	8589934592 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	240
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
组织	128MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM240,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.08 A
最大压摆率	1.08 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

240pin DDR3 SDRAM Registered DIMM

DDR3 SDRAM

Unbuffered DIMMs

Based on 1Gb T-Die

HMT112U6TFR8C

HMT112U7TFR8C

HMT125U6TFR8C

HMT125U7TFR8C

Hynix Semiconductor reserves the right to change products or specifications without notice.

Rev. 1.0 / Nov. 2009

HMT112U6TFR8C-G7相似产品对比

	HMT112U6TFR8C-G7	HMT112U6TFR8C-PB	HMT112U7TFR8C-G7	HMT112U7TFR8C-PB	HMT125U6TFR8C-G7	HMT125U6TFR8C-PB	HMT125U6TFR8C-H9	HMT125U7TFR8C-G7
描述	240pin DDR3 SDRAM Registered DIMM	240pin DDR3 SDRAM Registered DIMM	240pin DDR3 SDRAM Registered DIMM	240pin DDR3 SDRAM Registered DIMM	240pin DDR3 SDRAM Registered DIMM	240pin DDR3 SDRAM Registered DIMM	240pin DDR3 SDRAM Registered DIMM	240pin DDR3 SDRAM Registered DIMM
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40
针数	240	240	240	240	240	240	240	240
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	SINGLE BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	1.875 ns	1.25 ns	1.875 ns	1.25 ns	1.875 ns	1.25 ns	1.5 ns	1.875 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	533 MHz	800 MHz	533 MHz	800 MHz	533 MHz	800 MHz	667 MHz	533 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240
JESD-609代码	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1	e1
内存密度	8589934592 bi	8589934592 bi	9663676416 bi	9663676416 bi	17179869184 bi	17179869184 bi	17179869184 bit	19327352832 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	64	64	72	72	64	64	64	72
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	240	240	240	240	240	240	240	240
字数	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	268435456 words	268435456 words	268435456 words	268435456 words
字数代码	128000000	128000000	128000000	128000000	256000000	256000000	256000000	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
组织	128MX64	128MX64	128MX72	128MX72	256MX64	256MX64	256MX64	256MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260	260	260
电源	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20	20	20	20
最大待机电流	0.08 A	-	0.09 A	-	0.16 A	-	0.16 A	0.18 A
最大压摆率	1.08 mA	-	1.215 mA	-	1.32 mA	-	1.56 mA	1.485 mA

HMT112U6TFR8C-G7

HMT112U6TFR8C-G7概述

HMT112U6TFR8C-G7规格参数

文档预览

HMT112U6TFR8C-G7相似产品对比

推荐资源