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HMP351U6AFR8C-Y5: 产品描述240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs based on 2Gb A version; 产品类别存储存储; 文件大小215KB，共20页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

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HMP351U6AFR8C-Y5概述

240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs based on 2Gb A version

HMP351U6AFR8C-Y5规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM240,40
针数	240
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N240
内存密度	34359738368 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	240
字数	536870912 words
字数代码	512000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	55 °C
最低工作温度
组织	512MX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM240,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
自我刷新	YES
最大待机电流	0.192 A
最大压摆率	2.64 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20

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240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs based on 2Gb A version

This Hynix unbuffered Dual In-Line Memory Module (DIMM) series consists of 2Gb A version DDR2

SDRAMs in Fine Ball Grid Array (FBGA) packages on a 240pin glass-epoxy substrate. This Hynix 2Gb

version A based DDR2 Unbuffered DIMM series provide a high performance 8 byte interface in 133.35mm

width form factor of industry standard. It is suitable for easy interchange and addition.

FEATURES

•

JEDEC standard Double Data Rate2

Synchronous DRAMs (DDR2 SDRAMs) with

1.8V +/- 0.1V Power Supply

•

All inputs and outputs are compatible with

SSTL_1.8 interface

•

8 Bank architecture

•

Posted CAS

•

Programmable CAS Latency 3,4,5, 6

OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)

ODT (On-Die Termination)

•

DDR2 SDRAM Package:

60ball FBGA(256Mx8)

133.35 x 30.00 mm form factor

RoHS compliant

Serial presence detect with EEPROM

8192 refresh cycles / 64ms

•

Fully differential clock operations (CK & CK)

Programmable Burst Length 4 / 8 with both

sequential and interleave mode

Auto refresh and self refresh supported

ORDERING INFORMATION

# of

DRAM

# of

ranks

Part Name

HMP351U6AFR8C - Y5/S5/S6

HMP351U7AFR8C - Y5/S5/S6

Density

4GB

Org.

512Mx64

512Mx72

Materials

Halogen-free

ECC

None

ECC

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.1 / Mar 2009

HMP351U6AFR8C-Y5相似产品对比

	HMP351U6AFR8C-Y5	HMP351U7AFR8C-S5	HMP351U6AFR8C-S5	HMP351U7AFR8C-S6	HMP351U7AFR8C-Y5
描述	240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs based on 2Gb A version	240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs based on 2Gb A version	240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs based on 2Gb A version	240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs based on 2Gb A version	240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs based on 2Gb A version
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40
针数	240	240	240	240	240
Reach Compliance Code	compliant	unknow	compli	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.45 ns	0.4 ns	0.4 ns	0.4 ns	0.45 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	333 MHz	400 MHz	400 MHz	400 MHz	333 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240	R-XDMA-N240
内存密度	34359738368 bit	38654705664 bi	34359738368 bi	38654705664 bit	38654705664 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	64	72	64	72	72
功能数量	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1
端子数量	240	240	240	240	240
字数	536870912 words	536870912 words	536870912 words	536870912 words	536870912 words
字数代码	512000000	512000000	512000000	512000000	512000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	55 °C	55 °C	55 °C	55 °C	55 °C
组织	512MX64	512MX72	512MX64	512MX72	512MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20
最大待机电流	0.192 A	-	-	0.216 A	0.216 A
最大压摆率	2.64 mA	-	-	3.24 mA	2.97 mA
是否无铅	-	不含铅	-	不含铅	不含铅

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