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CMS07(TE12R)

产品描述DIODE 2 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, M-FLAT-2, Rectifier Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小161KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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CMS07(TE12R)概述

DIODE 2 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, M-FLAT-2, Rectifier Diode

CMS07(TE12R)规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明M-FLAT-2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.45 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流40 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流500 µA
反向测试电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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CMS07
TOSHIBA Schottky Barrier Rectifier
Schottky Barrier Type
CMS07
Switching Mode Power Supply Applications
Portable Equipment Battery Applications
Forward voltage: V
FM
= 0.45 V (max)
Average forward current: I
F (AV)
= 2.0 A
Repetitive peak reverse voltage: V
RRM
= 30 V
Suitable for compact assembly due to small surface-mount package
“M−FLAT
TM
” (Toshiba package name)
Unit: mm
Absolute Maximum Ratings
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Repetitive peak reverse voltage
Symbol
V
RRM
I
F (AV)
(Note 1)
I
F (AV)
Peak one cycle surge forward current
(non-repetitive)
Junction temperature
Storage temperature
I
FSM
T
j
T
stg
Rating
30
2.0
(Ta
=
60°C)
2.0
(Tℓ
=
126°C)
40 (50 Hz)
−40~150
−40~150
Unit
V
Average forward current
A
A
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
3-4E1A
Note 1: Device mounted on a ceramic board (board size: 50 mm
×
50 mm,
soldering land: 2 mm
×
2 mm)
Weight: 0.023 g (typ.)
Note 2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute
maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Electrical Characteristics
(Ta
=
25°C)
Characteristics
Symbol
V
FM (1)
Peak forward voltage
V
FM (2)
V
FM (3)
Repetitive peak reverse current
Junction capacitance
I
RRM
I
RRM
C
j
Test Condition
I
FM
=
0.5 A
I
FM
=
1.0 A
I
FM
=
2.0 A
V
RRM
=
5 V
V
RRM
=
30 V
V
R
=
10 V, f
=
1.0 MHz
Device mounted on a ceramic board
(soldering land: 2 mm
×
2 mm)
Thermal resistance
R
th (j-a)
Device mounted on a glass-epoxy
board
(soldering land: 6 mm
×
6 mm)
Min
Typ.
0.35
0.38
0.41
3.0
30.0
130
Max
0.45
500
60
°C/W
135
16
°C/W
μA
pF
V
Unit
Thermal resistance
R
th (j-ℓ)
1
2006-11-13

CMS07(TE12R)相似产品对比

CMS07(TE12R) CMS07(TE12L,Q) CMS07(TE12L)
描述 DIODE 2 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, M-FLAT-2, Rectifier Diode Diode Schottky 30V 2A 2-Pin M-FLAT T/R DIODE 2 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, M-FLAT-2, Rectifier Diode
是否Rohs认证 不符合 符合 不符合
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
是否无铅 含铅 - 含铅
包装说明 M-FLAT-2 - M-FLAT-2
针数 2 - 2
ECCN代码 EAR99 - EAR99
应用 GENERAL PURPOSE - GENERAL PURPOSE
配置 SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.45 V - 0.45 V
JESD-30 代码 R-PDSO-F2 - R-PDSO-F2
最大非重复峰值正向电流 40 A - 40 A
元件数量 1 - 1
相数 1 - 1
端子数量 2 - 2
最高工作温度 150 °C - 150 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C
最大输出电流 2 A - 2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
最大重复峰值反向电压 30 V - 30 V
最大反向电流 500 µA - 500 µA
反向测试电压 30 V - 30 V
表面贴装 YES - YES
技术 SCHOTTKY - SCHOTTKY
端子形式 FLAT - FLAT
端子位置 DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
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