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NE33284A-T1概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET,

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	NEC(日电)
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	LOW NOISE
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	4 V
FET 技术	HETERO-JUNCTION
最高频带	X BAND
JESD-30 代码	O-CRDB-F4
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	DEPLETION MODE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)	9.5 dB
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子位置	RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	GALLIUM ARSENIDE

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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