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AT301111

产品描述Variable Capacitance Diode, S Band, 6.8pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小119KB,共3页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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AT301111概述

Variable Capacitance Diode, S Band, 6.8pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt,

AT301111规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明O-CEMW-N2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压30 V
二极管电容容差10%
最小二极管电容比4.2
标称二极管电容6.8 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带S BAND
JESD-30 代码O-CEMW-N2
端子数量2
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
认证状态Not Qualified
最小质量因数2400
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END
变容二极管分类ABRUPT
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