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DSA1206C104JN

产品描述SURFACE MOUNT CERAMIC SURFACE MOUNT MULTI - LAYER DS
文件大小418KB,共6页
制造商DUBILIER
官网地址http://www.dubilier.co.uk/
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DSA1206C104JN概述

SURFACE MOUNT CERAMIC SURFACE MOUNT MULTI - LAYER DS

一道面试题求解
试分析电路中c133的作用。谢谢!...
chenbingjy 模拟电子
STM32外部扩展RAM
各位大侠,现在想STM32的内部RAM不够用,想扩展一片外部的SRAM,编译平台使用IAR FOR ARM 5.30,发现使用配置文件stm32f10x_flash_extsram.icf后,编译出来的文件没有使用内部的RAM,现在的问题就是如何让编译器先用内部RAM,用关键字来让特定的数组放到外部ram?这个问题比较急,求各位帮帮忙,谢谢。...
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SMPSIGBT在各种变换器应用中优于MOSFET
SMPSIGBT在各种变换器应用中优于MOSFET IGBT的主要特点是具有低导通损耗和大电流密度,但在其于1982年问世之后的十几年中,开关速度远没有功率MOSFET快,故在高频开关型电源(SMPS)应用领域中,一直是功率MOSFET在唱主角。 功率MOSFET的固有缺点是通态电阻(RDS(on))比较大,其导通损耗约占总功率损耗的70%~75%,并且该损耗随结温升高和漏极电流(ID)的增大而增...
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【CN0104】采用AD5522及AD7685 的ATE 应用参数测量单元和支持器件
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MSP430单片机存储器结构总结
MSP430 内部存储器的类型有:程序存储器 FLASH、数据存储器 RAM、外围模块寄存器、特殊功能寄存器。典型微型计算机的存储器都是采用冯•诺依曼结构,也称普林斯顿结构,即存放程序指令的存储器——程序存储器和存放数据的存储器——数据存储器采取统一的地址编码结构。程序存储器与数据存储器分开的地址编码结构称为哈佛结构,如 MCS-51 系列微处理器。MSP430 采用冯•诺...
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