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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JAN2N5157
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JAN2N5157

产品描述Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin, SIMILAR TO TO-3, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小42KB，共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JAN2N5157概述

Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin, SIMILAR TO TO-3, 2 PIN

JAN2N5157规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1439169320
零件包装代码TO-3
包装说明SIMILAR TO TO-3, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Samacsys ManufacturerMicrosemi Corporation
Samacsys Modified On2017-05-12 17:19:32
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3.5 A
集电极-发射极最大电压500 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)5
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/371E
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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TECHNICAL DATA
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/371
Devices
2N3902
2N5157
Qualified Level
JAN
JANTX
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector-Base Voltage
Base Current
Collector Current
Total Power Dissipation
Symbol
V
CEO
V
EBO
V
CBO
I
B
I
C
P
T
T
j,
T
stg
Symbol
0
@ T
A
= +25
0
C
(1)
@ T
C
= +75
0
C
(2)
Operating & Storage Temperature Range
2N3902 2N5157
400
500
5.0
6.0
700
2.0
3.5
5.0
100
-65 to +200
Max.
1.25
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
W
0
C
Unit
C/W
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1) Derate linearly 29 mW/ C for T
A
> +25 C
2) Derate linearly 0.8 mW/
0
C for T
C
> +75
0
C
*See Appendix A for Package
Outline
0
TO-3 (TO-204AA)*
R
θ
JC
0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Symbol
Min.
Max.
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Cutoff Current
V
CE
= 325 Vdc
V
CE
= 400 Vdc
Collector-Emitter Cutoff Current
V
BE
= 1.5 Vdc; V
CE
= 700 Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
V
EB
= 5.0 Vdc
V
EB
= 6.0 Vdc
2N3902
2N5157
I
CEO
I
CEX
2N3902
2N5157
I
EBO
250
250
500
200
200
µAdc
µAdc
µAdc
ON CHARACTERISTICS
(3)
Base-Emitter Saturation Voltage
I
C
= 1.0 Adc; I
B
= 0.1 Adc
I
C
= 3.5 Adc; I
B
= 0.7 Adc
Collector-Emitter Saturation Voltage
I
C
= 1.0 Adc; I
B
= 0.1 Adc
I
C
= 3.5 Adc; I
B
= 0.7 Adc
V
BE(sat)
1.5
2.0
0.8
2.5
Vdc
V
CE(sat)
Vdc
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
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JAN2N5157相似产品对比

JAN2N5157 JANTX2N5157
描述 Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin, SIMILAR TO TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin, SIMILAR TO TO-3, 2 PIN
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
Objectid 1439169320 1439169323
零件包装代码 TO-3 TO-3
包装说明 SIMILAR TO TO-3, 2 PIN SIMILAR TO TO-3, 2 PIN
针数 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
Samacsys Manufacturer Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Samacsys Modified On 2017-05-12 17:19:32 2017-05-12 17:19:32
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 3.5 A 3.5 A
集电极-发射极最大电压 500 V 500 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 5 5
JEDEC-95代码 TO-204AA TO-204AA
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Qualified Qualified
参考标准 MIL-19500/371E MIL-19500/371E
表面贴装 NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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