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JANTXV2N6798

产品描述Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小158KB,共5页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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JANTXV2N6798概述

Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

JANTXV2N6798规格参数

参数名称属性值
厂商名称Harris
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性RADIATION HARDENED
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)5.5 A
最大漏源导通电阻0.4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)150 pF
JEDEC-95代码TO-205AF
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)22 A
认证状态Not Qualified
参考标准MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装NO
端子面层NOT SPECIFIED
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)90 ns
最大开启时间(吨)80 ns
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