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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRF634B_FP001

IRF634B_FP001: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小632KB，共8页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/; 标准

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IRF634B_FP001概述

Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220, 3 PIN

IRF634B_FP001规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Fairchild Semiconductor
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Fairchild
零件包装代码	TO-220
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
制造商包装代码	3LD, TO220, JEDEC, MOLDED
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	200 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	8.1 A
最大漏极电流 (ID)	8.1 A
最大漏源导通电阻	0.45 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	74 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	32.4 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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