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MC-4216LFF72FH-A60

产品描述EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
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文件大小303KB,共32页
制造商NEC(日电)
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MC-4216LFF72FH-A60概述

EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168

MC-4216LFF72FH-A60规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
零件包装代码DIMM
包装说明,
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度1207959552 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX72
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL

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DATA SHEET
MOS INTEGRATED CIRCUIT
MC-4216LFF72
3.3 V OPERATION 16M-WORD BY 72-BIT DYNAMIC RAM MODULE
BUFFERED TYPE, EDO
Description
The MC-4216LFF72 is a 16,777,216 words by 72 bits dynamic RAM module on which 18 pieces of 64M DRAM :
µ
PD4264405 are assembled.
This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-
mounting technology on the printed circuit board.
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.
Features
• Buffered type
• EDO (Hyper page mode)
• 16,777,216 words by 72 bits organization
• Fast access and cycle time
Family
Access time
(MAX.)
R/W cycle time
(MIN.)
84 ns
104 ns
EDO (Hyper page mode)
cycle time (MIN.)
20 ns
25 ns
Power consumption (MAX.)
Active
6.71 W
6.06 W
Standby
262.8 mW
(CMOS level input)
5
5
MC-4216LFF72-A50
MC-4216LFF72-A60
50 ns
60 ns
• Refresh cycle
Family
MC-4216LFF72-A50
MC-4216LFF72-A60
Refresh cycle
8,192 cycles / 64 ms
4,096 cycles / 64 ms
Refresh
/RAS only refresh, Normal read / write
/CAS before /RAS refresh, Hidden refresh
• 168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)
• Single +3.3 V ± 0.3 V power supply
The information in this document is subject to change without notice.
Document No. M11914EJ5V0DS00 (5th edition)
Date Published October 1997 NS
Printed in Japan
The mark
Z
shows major revised points.
©
1996

MC-4216LFF72FH-A60相似产品对比

MC-4216LFF72FH-A60 MC-4216LFF72FB-A60 MC-4216LFF72FB-A50
描述 EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168 EDO DRAM Module, 16MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168 EDO DRAM Module, 16MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电)
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM
针数 168 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 60 ns 50 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 1207959552 bit 1207959552 bit 1207959552 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 168 168 168
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 16000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 16MX72 16MX72 16MX72
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL

 
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