IS61VPS51236-200B3I,IS61VPS51236-200B3I pdf中文资料,IS61VPS51236-200B3I引脚图,IS61VPS51236-200B3I电路-Datasheet-电子工程世界

IS61VPS51236-200B3I: 产品描述Cache SRAM, 512KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小166KB，共29页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS61VPS51236-200B3I概述

Cache SRAM, 512KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-165

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	BGA
包装说明	BGA,
针数	165
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.1 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
JESD-609代码	e0
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	165
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	BALL
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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