RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | California Eastern Labs |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | LOW NOISE |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
基于收集器的最大容量 | 1.5 pF |
集电极-发射极最大电压 | 12 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 80 |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 4500 MHz |
NE85619-T1 | NE85630-T1 | |
---|---|---|
描述 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | LOW NOISE | LOW NOISE |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A |
基于收集器的最大容量 | 1.5 pF | 1.5 pF |
集电极-发射极最大电压 | 12 V | 12 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 80 | 40 |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | L BAND |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN | NPN |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 4500 MHz | 4500 MHz |
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