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NE85619-T1

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小819KB,共26页
制造商California Eastern Labs
官网地址http://www.cel.com/
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NE85619-T1概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

NE85619-T1规格参数

参数名称属性值
厂商名称California Eastern Labs
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量1.5 pF
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)80
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4500 MHz

NE85619-T1相似产品对比

NE85619-T1 NE85630-T1
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
基于收集器的最大容量 1.5 pF 1.5 pF
集电极-发射极最大电压 12 V 12 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 80 40
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND L BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 4500 MHz 4500 MHz
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