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NE1383B

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, KU Band, Gallium Arsenide,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小238KB,共1页
制造商NEC(日电)
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NE1383B概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, KU Band, Gallium Arsenide,

NE1383B规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
Reach Compliance Codeunknown
最高频带KU BAND
JESD-30 代码O-CRDB-F4
端子数量4
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
最小功率增益 (Gp)9.5 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE

NE1383B相似产品对比

NE1383B NE76084 NE67383 NE76184A
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, KU Band, Gallium Arsenide, RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, 83, 4 PIN RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最高频带 KU BAND KU BAND K BAND KU BAND
JESD-30 代码 O-CRDB-F4 O-CRDB-F4 S-XQMW-F4 O-CRDB-F4
端子数量 4 4 4 4
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND ROUND SQUARE ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON MICROWAVE DISK BUTTON
最小功率增益 (Gp) 9.5 dB 9 dB 10 dB 12 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 RADIAL RADIAL QUAD RADIAL
晶体管元件材料 GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE GALLIUM ARSENIDE
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电) - NEC(日电)
配置 - SINGLE SINGLE SINGLE
元件数量 - 1 1 1
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