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IDT70V9389L6PRFG8

产品描述Dual-Port SRAM, 64KX18, 15ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128
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文件大小326KB,共19页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V9389L6PRFG8概述

Dual-Port SRAM, 64KX18, 15ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128

IDT70V9389L6PRFG8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明TQFP-128
针数128
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间15 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQFP-G128
JESD-609代码e3
长度20 mm
内存密度1179648 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量128
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装等效代码QFP128,.63X.87,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.002 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.28 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度14 mm

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HIGH-SPEED 3.3V
64K x18/x16
SYNCHRONOUS PIPELINED
DUAL-PORT STATIC RAM
Features:
IDT70V9389/289L
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed clock to data access
– Commercial: 6/7.5/9/12ns (max.)
– Industrial: 9ns (max.)
Low-power operation
– IDT70V9389/289L
Active: 500mW (typ.)
Standby: 1.5mW (typ.)
Flow-Through or Pipelined output mode on either port via
the
FT/PIPE
pins
Counter enable and reset features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Full synchronous operation on both ports
– 3.5ns setup to clock and 0ns hold on all control, data, and
address inputs
– Data input, address, and control registers
– Fast 6.5ns clock to data out in the Pipelined output mode
– Self-timed write allows fast cycle time
– 10ns cycle time, 100MHz operation in Pipelined output mode
Separate upper-byte and lower-byte controls for
multiplexed bus and bus matching compatibility
LVTTL- compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is
available for selected speeds
Available in a 128-pin Thin Quad Flatpack (TQFP) and
100-pin Thin Quad Flatpack (TQFP)
Functional Block Diagram
R/
W
L
UB
L
CE
0L
R/
W
R
UB
R
CE
0R
CE
1L
LB
L
OE
L
1
0
0/1
1
0
0/1
CE
1R
LB
R
OE
R
FT
/PIPE
L
0/1
1b 0b
b a
1a 0a
0a 1a
a
0b 1b
b
0/1
FT
/PIPE
R
I/O
9L
-I/O
17L
(2)
I/O
Control
I/O
0L
-I/O
8L
(1)
I/O
Control
I/O
9R
-I/O
17R
(1)
I/O
0R
-I/O
8R
(1)
A
15L
A
0L
CLK
L
Counter/
Address
Reg.
MEMORY
ARRAY
Counter/
Address
Reg.
A
15R
A
0R
CLK
R
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
4856 drw 01
NOTE:
1. I/O
0X
- I/O
7X
for IDT70V9289.
2. I/O
8X
- I/O
15
X
for IDT70V9289.
APRIL 2003
1
©2003 Integrated Device Technology, Inc.
DSC-4856/3

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描述 Dual-Port SRAM, 64KX18, 15ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 Dual-Port SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 Dual-Port SRAM, 64KX18, 25ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 Dual-Port SRAM, 64KX18, 18ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 Dual-Port SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 Dual-Port SRAM, 64KX16, 25ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 Dual-Port SRAM, 64KX16, 15ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 Dual-Port SRAM, 64KX18, 20ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP QFP
包装说明 TQFP-128 LFQFP, QFP128,.63X.87,20 LFQFP, QFP128,.63X.87,20 TQFP-128 LFQFP, QFP128,.63X.87,20 LFQFP, QFP128,.63X.87,20 TQFP-128 LFQFP, QFP128,.63X.87,20
针数 128 128 128 128 128 128 128 128
Reach Compliance Code unknown compliant compliant compliant compliant compliant unknown compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.B EAR99 3A991.B.2.B 3A991.B.2.A
最长访问时间 15 ns 20 ns 25 ns 18 ns 20 ns 25 ns 15 ns 20 ns
其他特性 FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 66 MHz 50 MHz 83 MHz 66 MHz 50 MHz 100 MHz 66 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PQFP-G128 R-PQFP-G128 R-PQFP-G128 R-PQFP-G128 R-PQFP-G128 R-PQFP-G128 R-PQFP-G128 R-PQFP-G128
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3 e3
长度 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 1179648 bit 1048576 bit 1179648 bit 1179648 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1179648 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 18 16 18 18 16 16 16 18
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2 2 2 2 2
端子数量 128 128 128 128 128 128 128 128
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000 64000 64000 64000 64000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX18 64KX16 64KX18 64KX18 64KX16 64KX16 64KX16 64KX18
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFQFP LFQFP LFQFP LFQFP LFQFP LFQFP LFQFP LFQFP
封装等效代码 QFP128,.63X.87,20 QFP128,.63X.87,20 QFP128,.63X.87,20 QFP128,.63X.87,20 QFP128,.63X.87,20 QFP128,.63X.87,20 QFP128,.63X.87,20 QFP128,.63X.87,20
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260 260 260
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大待机电流 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A
最小待机电流 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
最大压摆率 0.28 mA 0.24 mA 0.2 mA 0.25 mA 0.23 mA 0.2 mA 0.28 mA 0.23 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30 30 30 30
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
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