Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, |
| 针数 | 48 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 70 ns |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 |
| 长度 | 7 mm |
| 内存密度 | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 48 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 128KX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.75 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 6 mm |
| K6F2016U4D-FF700 | K6F2016U4D-FF550 | |
|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48 | Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | BGA | BGA |
| 包装说明 | TFBGA, | TFBGA, |
| 针数 | 48 | 48 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 70 ns | 55 ns |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B48 | R-PBGA-B48 |
| 长度 | 7 mm | 7 mm |
| 内存密度 | 2097152 bit | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 48 | 48 |
| 字数 | 131072 words | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 128KX16 | 128KX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA | TFBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.75 mm | 0.75 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 宽度 | 6 mm | 6 mm |
嵌入式系统
嵌入式系统
嵌入式系统
WindowsCE
嵌入式系统
微控制器 MCU
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
