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K7P161866A-HC330

产品描述Standard SRAM, 1MX18, 1.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
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文件大小320KB,共14页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K7P161866A-HC330概述

Standard SRAM, 1MX18, 1.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119

K7P161866A-HC330规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码BGA
包装说明BGA,
针数119
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间1.5 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PBGA-B119
长度22 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量119
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.2 mm
最大供电电压 (Vsup)2.63 V
最小供电电压 (Vsup)2.37 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
宽度14 mm

K7P161866A-HC330相似产品对比

K7P161866A-HC330 K7P163666A-HC330 K7P163666A-HC30T K7P161866A-HC300 K7P161866A-HC250 K7P163666A-HC250 K7P163666A-HC300
描述 Standard SRAM, 1MX18, 1.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 Standard SRAM, 512KX36, 1.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 Standard SRAM, 512KX36, 1.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 Standard SRAM, 1MX18, 1.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 Standard SRAM, 1MX18, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 Standard SRAM, 512KX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 Standard SRAM, 512KX36, 1.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 BGA, BGA, BGA, BGA, BGA, BGA, BGA,
针数 119 119 119 119 119 119 119
Reach Compliance Code unknown compliant unknown compliant unknown compliant unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 1.5 ns 1.5 ns 1.6 ns 1.6 ns 2 ns 2 ns 1.6 ns
其他特性 PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119
长度 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm 22 mm
内存密度 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit 18874368 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 18 36 36 18 18 36 36
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 119 119 119 119 119 119 119
字数 1048576 words 524288 words 524288 words 1048576 words 1048576 words 524288 words 524288 words
字数代码 1000000 512000 512000 1000000 1000000 512000 512000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX18 512KX36 512KX36 1MX18 1MX18 512KX36 512KX36
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.2 mm 2.2 mm 2.2 mm 2.2 mm 2.2 mm 2.2 mm 2.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V
最小供电电压 (Vsup) 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm

 
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