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KM28C256JI-20

产品描述EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
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文件大小47KB,共1页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM28C256JI-20概述

EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

KM28C256JI-20规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码QFJ
包装说明QCCJ, LDCC32,.5X.6
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间200 ns
命令用户界面NO
数据轮询YES
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e0
长度13.97 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC32,.5X.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
页面大小64 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.55 mm
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
宽度11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
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